[發明專利]具有雙分級電子阻擋層的氮化物LED結構

在審

• 申請號: 201410805979.X
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN104733582A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 馬修·澤維爾·先尼;竹岡忠士
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種基于III族氮化物的發光器件，包括：

n型半導體層；

第一p型半導體層；

有源區；以及

電子阻擋區，包括位于所述有源區與所述第一p型半導體層之間的AlGaInN，并且至少包括升級層和降級層；

其中，所述電子阻擋區的所述升級層的鋁成分從所述電子阻擋區的有源區側向所述電子阻擋區的第一p型半導體層側增加，以及所述電子阻擋區的所述降級層的鋁成分從所述電子阻擋區的所述有源區側向所述電子阻擋區的所述第一p型半導體層側減小。

2.根據權利要求1所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述層是AlGaN。

3.根據權利要求1所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述升級層或所述降級層的所述鋁成分以線性形式變化。

4.根據權利要求1所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述升級層或所述降級層的所述鋁成分以指數形式、對數形式或多項式形式之一變化。

5.根據權利要求1所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述升級層或所述降級層的所述鋁成分以非單調形式變化。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區包括所述升級層與所述降級層之間的中間層。

7.根據權利要求6所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述升級層與所述降級層之間的所述中間層的鋁成分是恒定的。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述升級層的厚度等于或小于100nm。

9.根據權利要求8所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述升級層的所述厚度等于或小于50nm。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述降級層的厚度等于或大于1nm。

11.根據權利要求10所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述降級層的所述厚度等于或大于2nm。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述升級層的厚度大于所述降級層的厚度。

13.根據權利要求12所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述降級層的所述厚度等于或大于2nm。

14.根據權利要求12所述的基于氮化物的發光器件，其中，中間層位于所述升級層與所述降級層之間，并且所述升級層的所述厚度等于或大于所述中間層的厚度。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的最大鋁成分比率在0.2與0.5之間。

16.根據權利要求15所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述電子阻擋區的所述最大鋁成分比率在0.28與0.4之間。

17.根據權利要求1至16中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述基于氮化物的發光器件是發光二極管。

18.根據權利要求1至16中任一項所述的基于氮化物的發光器件，其中，所述基于氮化物的發光器件是激光二極管。