[發明專利]互連結構和方法

有效

• 申請號: 201410803165.2
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN105280616B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 楊士億;李香寰;李明翰;田希文;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體裝置，包括：

第一導電線，位于介電層上方的第一金屬層中，其中：

所述第一導電線在三個側面被第一聚合物層包裹；并且

所述第一導電線和所述介電層通過所述第一聚合物層的底部隔離；

第二導電線，位于所述介電層上方，其中：

所述第二導電線在三個側面被第二聚合物層包裹；并且

所述第二導電線和所述介電層被所述第二聚合物層的底部隔離；以及

氣隙，位于所述第一導電線和所述第二導電線之間；

第三聚合物層，與所述氣隙的頂部直接接觸，其中，所述第三聚合物層是非多孔的。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，

所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括聚酰亞胺。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，

所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括交聯環氧樹脂。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，

所述第一聚合物層包括第一側壁、第二側壁和第一底部，所述第一導電線在三個側面被所述第一側壁、所述第二側壁和所述第一底部包裹；并且

所述第二聚合物層包括第三側壁、第四側壁和第二底部，所述第二導電線在三個側面被所述第三側壁、所述第四側壁和所述第二底部包裹。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，

所述氣隙位于所述第一聚合物層的所述第二側壁和所述第二聚合物層的所述第三側壁之間。

6.根據權利要求1所述的裝置，還包括：第二金屬化層，位于所述第一金屬化層上方，所述氣隙位于所述第二金屬化層和所述介電層之間。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中，

所述第二金屬化層包括形成在所述第三聚合物層中的多條金屬線。

8.一種半導體器件，包括：

第一金屬化層，位于介電層上方，所述第一金屬化層包括：

第一金屬線，在三個側面被第一聚合物層包裹；和

氣隙，與所述第一金屬線相鄰，所述氣隙和所述第一金屬線被所述第一聚合物層的側壁隔離；以及

第二金屬化層，位于所述第一金屬化層上方，所述第二金屬化層包括與所述氣隙的頂部直接接觸的第二聚合物層，

其中：

所述第一金屬線的頂面與所述第二金屬化層的底面直接接觸；并且

所述第一金屬線的底面和所述介電層通過所述第一聚合物層的底部隔開，

所述第二聚合物層是非多孔的。

9.根據權利要求8所述的器件，其中，

所述第一聚合物層的底部的厚度在1nm至5nm的范圍內。

10.根據權利要求8所述的器件，還包括：

第二金屬線，在三個側面被所述第二聚合物層包裹，其中，所述氣隙位于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間。

11.根據權利要求8所述的器件，其中，

所述第一聚合物層包括聚酰亞胺。

12.根據權利要求8所述的器件，其中，

所述第一聚合物層包括交聯環氧樹脂。

13.根據權利要求8所述的器件，其中，

所述第二金屬化層包括被聚合物材料環繞的通孔，其中，所述通孔的底面與所述第一金屬化層的金屬線的頂面直接接觸。

14.根據權利要求10所述的器件，其中，

所述第一金屬線和所述第二金屬線包括銅。

15.根據權利要求13所述的器件，其中，所述通孔包括銅。