[發(fā)明專利]半導體圓片級封裝工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410800045.7 | 申請日： | 2014-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN104599987A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 錢泳亮 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 圓片級 封裝 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體圓片級封裝工藝，其特征在于，包括：
在再配線層上的非焊接位置形成樹脂層；
在再配線層的焊接位置填充焊料；
在所述焊接位置植入焊球。
2.根據權利要求1所述的半導體圓片級封裝工藝，其特征在于，所述“在再配線層上的非焊接位置形成樹脂層”具體包括：
在再配線層的上表面貼干膜；
對所述干膜進行圖形曝光顯影形成干膜圖形；
在所述再配線層上進行樹脂印刷形成樹脂層，且所述樹脂層覆蓋所述干膜圖形；
對所述樹脂層減薄使得所述干膜圖形的剩余高度達到預定值；
剝離剩余的所述干膜使得剝離處形成焊接位置。
3.根據權利要求2所述的半導體圓片級封裝工藝，其特征在于，在所述“剝離剩余的所述干膜使得剝離處形成焊接位置”之后，還包括：
對所述焊接位置進行清洗。
4.根據權利要求3所述的半導體圓片級封裝工藝，其特征在于，所述“對所述焊接位置進行清洗”具體包括：
采用加熱和/或離子清洗法對所述焊接位置進行清洗。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的半導體圓片級封裝工藝，其特征在于，所述“在所述焊接位置植入焊球”具體包括：
將焊球置于所述焊料上；
以及，
采用回流焊將所述焊球固定于所述焊接位置。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
