[發明專利]一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法

有效

• 申請號: 201410799595.1
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104714261A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 張貴英;劉存兄;倪邦發;王平生;肖才錦;金象春;王興華;姚永剛;華龍
• 申請（專利權）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: G02B1/111
• 分類號: G02B1/111;C08J7/12;C08L67/00
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)輻照

利用加速器產生的重粒子在真空室中雙面輻照聚酯膜，使輻照后聚酯膜一面的孔密度為8×10⁶～10×10⁶/cm²，另一面的孔密度為5×10⁶～7×10⁶/cm²，所述重粒子為質量數大于40的粒子，粒子能量為150～500MeV，束流密度為1×10⁶～1×10⁷/cm²，聚酯膜的厚度為40～60μm；

(2)光致氧化

輻照過后的樣品在清潔的大氣環境中放置1～3個月，使聚酯膜中的潛徑跡發生光致氧化過程；

(3)蝕刻

(ⅰ)將步驟(2)得到的聚酯膜置入裝有分析純酒精的干凈表面皿中，浸泡5～15分鐘，取出并放在干凈的濾紙上晾干；

(ⅱ)將步驟(ⅰ)得到的聚酯膜置入蝕刻槽內進行預蝕刻，聚酯膜兩面都浸入蝕刻液中；

(ⅲ)用紫外燈輻照以敏化步驟(ⅱ)得到的聚酯膜，敏化后重新放入蝕刻液中在超聲波作用下間歇蝕刻后清洗晾干得到所需減反射材料；

步驟(ⅱ)～步驟(ⅲ)所述蝕刻液為氫氧化鈉溶液。

2.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中對聚酯膜進行蝕刻后，還利用熱蒸發的方法將步驟(3)得到的聚酯膜孔密度為5×10⁶～7×10⁶/cm²的所在面鍍一層ZnO膜，其中ZnO膜的厚度為20～50nm。

3.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，所述蝕刻槽置于超聲波發生器內，所述超聲發生器里裝有去離子水或自來水，超聲發生器的設定溫度為50～70℃，超聲波頻率為27.5kHz，功率為1kw。

4.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，氫氧化鈉溶液的濃度為2～6.5mol/L。

5.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中步驟(ⅱ)所述預蝕刻時間為3～5min。

6.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中步驟(ⅲ)所述間歇蝕刻是每隔2-5min開啟超聲波，作用1-3min后關閉，間歇蝕刻的次數為3～10次。

7.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，所述紫外燈發出紫外光的波長為360nm。

8.根據權利要求1所述的一種用于25～100μm波長范圍內的減反射材料的制備方法，其特征在于，ZnO膜的厚度為20～30nm。