[發明專利]圖像感測裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410798734.9 | 申請日: | 2014-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN105321965B | 公開(公告)日: | 2018-10-26 |
| 發明(設計)人: | 吳翰林;謝錦全;張志清 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;趙根喜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像感測裝置,包括:
一基板,包括一像素陣列,該像素陣列具有多個像素;以及
一導光結構,設置于該基板上,且形成有多個導光管以及圍繞該些導光管的多個反光部,其中該些導光管對齊于該像素陣列中的該些像素,又,該導光結構為一感光層,且該些導光管是在該感光層經過一曝光工藝后由該感光層的多個未曝光部分所形成,且該些反光部是在該感光層經過該曝光工藝后由該感光層的多個曝光部分所形成;其中該些導光管的上表面和該些反光部的上表面共同形成該導光結構的一弧形的光入射面。
2.如權利要求1所述的圖像感測裝置,其中該些導光管的折射率大于該些反光部的折射率。
3.如權利要求2所述的圖像感測裝置,其中該些導光管的折射率與該些反光部的折射率之間的差值大于0.1且小于0.2。
4.如權利要求1所述的圖像感測裝置,其中該些導光管的該些上表面和該些反光部的該些上表面共同形成該導光結構的一凹狀的光入射面。
5.如權利要求1所述的圖像感測裝置,其中該些導光管的該些上表面和該些反光部的該些上表面共同形成該導光結構的一凸狀的光入射面。
6.如權利要求1所述的圖像感測裝置,還包括:
一微透鏡陣列,設置于該基板與該導光結構之間;以及
一彩色濾光片陣列,設置于該基板與該微透鏡陣列之間。
7.如權利要求1所述的圖像感測裝置,其中該感光層的材質包括聚硅氧烷、二氧化硅、二氧化鈦、丙二醇甲醚乙酸酯、二丙酮醇、甲醇、異亞丙基丙酮或上述的組合。
8.一種圖像感測裝置的制造方法,包括:
提供一基板,其中該基板包括一像素陣列,該像素陣列具有多個像素;
形成一感光層于該基板上;
對該感光層進行一曝光工藝,使得該感光層形成多個導光管以及多個反光部,其中該些導光管對齊于該像素陣列中的該些像素;以及
對該些導光管的上表面和該些反光部的上表面塑型,使得該些導光管的該些上表面和該些反光部的該些上表面共同形成一導光結構的一弧形的光入射面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
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