[發明專利]一種旁路二極管上電極的制備方法

在審

• 申請號: 201410798461.8
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN105789034A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 梁存寶;肖志斌;杜永超;鐵劍銳
• 申請（專利權）人: 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/329
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

技術領域

本發明屬于物理電源技術領域，特別是涉及一種旁路二極管上電極的制備方法。

背景技術

目前，對于太陽電池陣來講,旁路二極管是極其重要的一部分。其原理是，當某太陽 電池出現熱斑效應不能發電時，起到旁路作用，讓其它正常的電池所產生的電流從旁路二 極管流出，使太陽能發電系統能夠繼續發電，不會因為某一片故障電池，而產生電路不通 的情形，當電池片正常工作時，旁路二極管就會反向截止，對電路不產生較大的影響。

對于目前水平，現有的旁路二極管產品，反向漏電流較高，均在幾十毫安以上，且尚未 發現有同樣或類似產品；www.azurspace.com網站有類似二極管產品，其反向漏電流達到 0.1uA～1.0uA(同條件下測)的水平，其缺點是存在反向漏電流也不能滿足空間太陽電池 旁路二極管要求更低的反向漏電流(nA級)指標的需求等技術問題。

發明內容

本發明為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種旁路二極管上電極的制備方法。

本發明解決了背景技術存在的反向漏電流大的技術問題，提供了能夠實現具有低反向 漏電流的旁路二極管上電極結構，能夠滿足空間用旁路二極管的需求。

本發明的目的是提供一種具有工藝簡單，制造工藝難度低，加工方便，產品上電極能 夠降低反向漏電流指標等特點的旁路二極管上電極的制備方法。

本發明旁路二極管上電極的制備方法所采取的技術方案是：

一種旁路二極管上電極的制備方法，其特點是：旁路二極管上電極采用光刻技術，將 上電極光刻出圖形，然后蒸鍍上電極，制備過程包括以下工藝步驟：

(1)涂膠

采用已做完硼、磷擴散的襯底硅片，將硅片放在勻膠機上，涂布BP218光刻膠，勻 膠時間為15s～20s；

(2)烘膠

在88-93℃條件下，烘干19-22min；

(3)曝光

接通光刻機，光強監測光強15mw/cm²～20mw/cm²，放好光刻版，使光刻版圖形在承 片臺中心位置，光刻版鉻面朝向硅片勻膠面，曝光燈光強穩定后，將硅片裝入光刻機的承 片臺上，曝光16s～20s；

(4)顯影

將曝光后的硅片裝入硅片承載器內，放入顯影液中，顯影時間為30s～40s；

(5)上電極蒸鍍

將硅片放在模具上，磷擴面朝下，裝入真空室中，將鈦、鈀、銀膜料分別放入對應 坩堝內，真空鍍膜機上進行電極蒸鍍，上電極蒸鍍鈦層、鈀層和銀層；

(6)去膠

將電池片浸在丙酮溶液中,將其表面的光刻膠去除，完成上電極制作。

本發明旁路二極管上電極的制備方法還可以采取如下技術方案：

所述的旁路二極管上電極的制備方法，其特點是：光刻版的設計電極圖形邊緣與硅片 邊緣距離為600μm。

所述的旁路二極管上電極的制備方法，其特點是：上電極蒸鍍的鈦膜層厚度為鈀膜層厚度為銀膜層總厚度為

所述的旁路二極管上電極的制備方法，其特點是：上電極蒸鍍時，起始真空度不低于 3×10^-4Pa。

所述的旁路二極管上電極的制備方法，其特點是：去膠時，將電池片浸在丙酮溶液時 間為25-40min。

本發明具有的優點和積極效果是：

旁路二極管上電極的制備方法由于采用了本發明全新的技術方案，與現有技術相比， 本發明通過采用光刻技術，將上電極光刻出圖形，然后蒸鍍上電極。為了降低邊緣漏電， 在結構設計上，采用了上電極局部覆蓋的結構設計，目的是阻斷了上電極通過硅片邊緣與 下表面電極的連接，即大大降低了上下電極間物理短接的可能性，該上電極結構設計及使 用，使得反向漏電流指標降低明顯，其效果顯著。

表1反向漏電對比數據

附圖說明

圖1是空間用旁路二極管剖面結構示意圖；

其中，1-上電極(Ti-Pd-Ag)，2-硅基區(p型)，3-下電極(Al-Ti-Pd-Ag)。

圖2是光刻版設計結構示意圖；

圖中，A是上電極邊界，B是硅片襯底邊界；

圖3是旁路二極管上電極俯視結構結構示意圖。

具體實施方式