[發明專利]一種硅異質結太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201410798442.5
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN105762217B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 張樹旺;楊富琨;李寶勝;蔡明;李立偉;郭鐵
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: H01L31/05
• 分類號: H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種硅異質結太陽能電池，其特征在于，包括：晶硅襯底，在所述晶硅襯底的入光側依次設置的第一非晶硅層、前電極層和前柵線，焊接或粘貼在所述前柵線上的第一互聯條，在所述晶硅襯底的背光側依次設置的第二非晶硅層、第一透明導電氧化物薄膜和銀薄膜，以及焊接或粘貼在所述銀薄膜背離所述晶硅襯底一側的第二互聯條；

所述銀薄膜的厚度為1nm-500nm；所述第二互聯條的厚度小于0.2μm。

2.如權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述前電極層包括第二透明導電氧化物薄膜；

所述第二透明導電氧化物薄膜背離所述晶硅襯底的一面具有絨面結構。

3.一種硅異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：在晶硅襯底的入光側依次形成第一非晶硅層、前電極層和前柵線，在所述晶硅襯底的背光側依次形成第二非晶硅層、第一透明導電氧化物薄膜和銀薄膜；

在形成所述前柵線之后，在所述前柵線上焊接或粘貼第一互聯條；

在形成所述銀薄膜之后，在所述銀薄膜背離所述晶硅襯底的一側焊接或粘貼第二互聯條；所述第二互聯條的厚度小于0.2μm。

4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述形成銀薄膜，具體包括：

將形成有所述第一透明導電氧化物薄膜的樣品置于銀薄膜制備裝置的腔室中；

對放置有所述樣品的所述腔室進行抽真空處理；

向經過所述抽真空處理后的所述腔室內通入惰性氣體；

對所述腔室內施加電壓，使所述惰性氣體電離后形成的離子轟擊所述腔室內的銀靶，被轟擊出的銀粒子沉積在所述樣品上。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述對放置有所述樣品的所述腔室進行抽真空處理，具體包括：

對放置有所述樣品的所述腔室進行抽真空處理，至所述腔室的本底壓強為5×10-5torr-8×10-7torr。

6.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述向經過所述抽真空處理后的所述腔室內通入惰性氣體，具體包括：

向經過所述抽真空處理后的所述腔室內通入惰性氣體，使所述腔室的沉積壓強為1×10-2torr-9×10-5torr。

7.如權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。

8.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述對所述腔室內施加電壓，使所述惰性氣體電離后形成的離子轟擊所述腔室內的銀靶，被轟擊出的銀粒子沉積在所述樣品上，具體包括：

在所述腔室內的銀靶與所述樣品之間的距離為50mm-300mm的條件下，對所述腔室內施加200V-800V的電壓，使所述惰性氣體電離后形成的離子轟擊所述銀靶，被轟擊出的銀粒子沉積在所述樣品上。

9.如權利要求3-8任一項所述的制作方法，其特征在于，所述前電極層包括第二透明導電氧化物薄膜；在形成所述第二透明導電氧化物薄膜之后，在形成所述前柵線之前，還包括：

在所述第二透明導電氧化物薄膜背離所述晶硅襯底的一面形成絨面結構。