[發明專利]低漂移電壓基準

在審

• 申請號: 201410797934.2
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104731158A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: S·馬里恩卡
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種包括耦合至電路元件的齊納二極管的電壓基準電路，所述電路元件經配置以生成負基極-發射極電壓差ΔVbe組件，負ΔVbe組件補償所述齊納二極管的正溫度系數的響應特性，以在電壓基準電路的輸出提供電壓基準。

2.根據權利要求1所述的電壓基準電路，包括第一負基極-發射極電壓差ΔVbe塊和第二負基極-發射極電壓差ΔVbe塊，所述第一塊和第二塊互相被級聯。

3.根據權利要求1的電壓基準電路，其中，所述電路元件包括具有第一發射極區的第一雙極晶體管和具有不同的第二發射極區的第二雙極型晶體管。

4.根據權利要求3所述的電壓基準電路，包括耦合到所述第一雙極晶體管的每個基極和集電極的第三雙極晶體管。

5.根據權利要求3所述的電壓基準電路，包括耦合到每個所述第一雙極晶體管和第二雙極晶體管的MOS設備，使得每個所述第一雙極晶體管和第二雙極晶體管之間的基極-發射極電壓差跨MOS設備反射。

6.根據權利要求1所述的電壓基準電路，其中所述電路元件被布置在單元中，所述單元包括：

布置在單元的第一、第二和第三臂并經配置以在單元的輸出產生正比于絕對溫度的電壓的多個雙極晶體管，所述單元依賴于所述多個雙極晶體管的各個輸出端，和

其中，每個所述第一臂，第二臂和第三臂都連接至單個偏壓電流，使得所述偏置電流被分成每個臂，以及每個臂補償其他臂的基極電流的變化。

7.根據權利要求6所述的電壓基準電路，其中，在單元的輸出提供的與絕對溫度成正比的電壓涉及在第一集電極電流密度運行從第一組雙極晶體管和以第二低級集電極電流密度運行的第二組雙極晶體管的發射極比產生的基極-發射極電壓差ΔVbe，所述單元被連接到所述齊納二極管，以便提供ΔVbe作為負ΔVbe貢獻，以平衡齊納二極管的正溫度系數響應特性。

8.根據權利要求7所述的電壓基準電路，包括MOS設備，并且其中從發射極區域比所產生的基極-發射極電壓差跨MOS設備被反射到單元的輸出。

9.根據權利要求6所述的電壓基準電路，其中，每個臂包括在PNP結構中提供的至少一個晶體管，所述單元被配置成使得每個所述第一、第二和第三臂的單獨PNP晶體管的發射極耦合到由相同的偏置電流偏置的公共節點。

10.根據權利要求9所述的電壓基準電路，其中，所述電池的第一臂包括具有統一發射極尺寸的PNP晶體管，以及電路的第二臂包括具有多個n個發射器尺寸的PNP晶體管，所述電路經配置以在單元的輸出生成第一次序的電壓，其獨立于偏置電流和正比于多個n。

11.根據權利要求9所述的電壓基準電路，包括配置在NPN配置中的多個雙極型晶體管，以及其中所述單元的第一臂和第二臂的每個包括至少一個NPN晶體管和至少一個PNP晶體管，第一臂以第一集電極電流密度操作，以及所述第二臂以第二較低集電極電流密度操作，所述電路被配置以在電池的輸出產生基極發射極電壓差。

12.根據權利要求11所述的電壓基準電路，其中，所述NPN配置晶體管具有和PNP配置晶體管不同的發射器區域。

13.根據權利要求6所述的電壓基準電路，其中，所述偏置電流由耦合到所述電路的電源電壓的電流源提供。

14.根據權利要求6所述的電壓基準電路，其中，第三臂的各晶體管設置在二極管連接配置中。

15.根據權利要求1所述的電壓基準電路包括修整節點，由此微調電流可以被引入到該電路以改變所述電路的溫度系數特性。

16.根據權利要求15所述的電壓基準電路，其中，所述修整電流加入到電路或從電路去除，以改變該電路的溫度系數特性。

17.根據權利要求16所述的電壓基準電路，其中，所述微調電流耦合到電路元件，所述電路元件經配置以產產生負基極-發射極電壓差ΔVbe組件。