[發明專利]一種采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法

在審

• 申請號: 201410797250.2
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104505345A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 譚德喜;巨峰峰;姚偉明;付國振;楊勇;李懷輝
• 申請（專利權）人: 揚州國宇電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/223
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司11275
• 代理人: 劉憲池

1.一種采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于步驟包括：1旋轉涂覆：在通過刻蝕制作好保護環P+溝槽后的晶圓上，使用旋轉涂覆法使晶圓上覆蓋一層帶有硼摻雜劑的B30液態源，并烘干，烘干后涂覆厚度在3000～6000埃；2預擴散：在氮氣氣氛的高溫爐中進行預擴散，預擴散溫度900～1100攝氏度，預擴散時間30～120分鐘；

3清洗：氫氟酸溶液清洗5～10分鐘，將晶圓表面的氧化層和殘余有機物漂凈；

4再擴散：在氮氣氣氛的900～1100攝氏度的高溫爐中，加熱30～120分鐘進行進一步推進；然后降溫至700～900攝氏度，在氧氣和氫氣氛圍下進行濕氧反應150～200分鐘，在P+保護環溝槽的晶圓表面形成氧化層。

2.根據權利要求1所述的采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于旋轉涂覆步驟中，包括如下步驟：前烘，在50～150攝氏度下對晶圓烘干30～200秒；降溫至常溫，使晶圓在2000～5000r/min旋轉速度下勻速旋轉5～60秒，滴加帶有B30硼摻雜劑的液態源至晶圓表面；降低旋轉速度至1000～2000r/min，保持5～60秒后，減速停止；后烘：在40～150攝氏度下烘干晶圓50～150秒。

3.根據權利要求1所述的采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于預擴散步驟中，氮氣氣氛中輔助小流量氧氣，其中，氮氣流量5～10SLM,氧氣流量0.1～0.5SLM。

4.根據權利要求1所述的采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于清洗步驟中，氫氟酸溶液濃度為氫氟酸與水體積比1:50～1:100。

5.根據權利要求4所述的采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于清洗步驟中，使用氫氟酸溶液清洗后，依次使用SC3處理溶液浸泡5-10分鐘、然后沖水10分鐘，接著在SC1處理溶液中中浸泡5-10分鐘，然后再沖水10分鐘甩干。

6.SC3處理溶液為H2SO4：H2O2按照3：1的比例配制；SC1處理溶液為NH₄OH：H₂O₂：H₂O按照1：2：7的比例配制。

7.根據權利要求1所述的采用CSD工藝制備肖特基二極管P+型擴散保護環的方法，其特征在于再擴散步驟中，氧氣流量為3～7SLM，氫氣流量為5～10SLM。