[發明專利]一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器

在審

• 申請號: 201410797065.3
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN104409813A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 李磊;蘭寶巖;王浩;雷振亞;楊珂;賴賢軍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01P1/205
• 分類號: H01P1/205
• 代理公司: 西安睿通知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 61218
• 代理人: 惠文軒

1.一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，包括：位于頂部的第一金屬接地層(1)、位于底部的第二金屬接地層(9)；

在第一金屬接地層(1)和第二金屬接地層(9)之間，從上倒下依次排列有第一諧振器層(2)、第二諧振器層(3)、第三諧振器層(4)、第四諧振器層(5)、第五諧振器層(6)、第六諧振器層(7)、以及第七諧振器層(8)，每兩個相鄰的諧振器層之間設置有介質層，在第一金屬接地層(1)和第一諧振器層(2)之間設置有介質層，在第七諧振器層(8)和第二金屬接地層(9)設置有介質層；每個諧振器層包括金屬結構層、以及由金屬結構層包圍的諧振腔(16)；

所述基于源和負載耦合的垂直交指濾波器還包括至少一個互聯通孔(15)，每個互聯通孔(15)為導電通孔，每個互聯通孔(15)位于第一金屬接地層(1)和第二金屬接地層(9)之間，并貫穿各個諧振器層和各個介質層；

所述第一諧振器層(2)的側面設置有饋電端口，所述第七諧振器層(8)的側面設置有饋電端口；所述基于源和負載耦合的垂直交指濾波器還包括與水平面垂直的同軸線(10)，所述同軸線(10)的上端與所述第一諧振器層(2)的饋電端口水平對齊，所述同軸線(10)的下端與所述第七諧振器層(8)的饋電端口水平對齊，所述同軸線(10)豎直貫穿第二諧振器層(3)、第三諧振器層(4)、第四諧振器層(5)、第五諧振器層(6)、第六諧振器層(7)。

2.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，所述每個諧振器層的諧振腔(16)為四分之一波長諧振腔。

3.如權利要求2所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，每個諧振器層的金屬結構層包括位于其外圍的外圍金屬結構(11)、以及從外圍金屬結構(11)伸入至對應的諧振腔內的金屬伸入結構(12)；對于第二諧振器層(3)、第四諧振器層(5)、以及第六諧振器層(7)，每個諧振器層的金屬伸入結構(12)從對應的外圍金屬結構(11)的第一側伸入對應的諧振腔內；對于第三諧振器層(4)和第五諧振器層(6)，每個諧振器層的金屬伸入結構(12)從對應的外圍金屬結構(11)的第二側伸入對應的諧振腔內；第一側為左側或右側，當第一側為左側時，第二側為右側，當第一側為右側時，第二側為左側。

4.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，每個諧振器層的金屬結構層包括位于其外圍的外圍金屬結構(11)、以及從外圍金屬結構(11)伸入至對應的諧振腔內的金屬伸入結構(12)，所述第一諧振器層(2)和第七諧振器層(8)具有相同的內部結構；對于第一諧振器層(2)和第七諧振器層(8)，每個諧振器層的金屬伸入結構(12)在遠離對應的外圍金屬結構(11)的一端設有長方形的金屬片(13)。

5.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，所述各個金屬接地層、各個介質層、各個諧振器層組合成長方體狀的封閉結構。

6.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，所述第一諧振器層(2)的饋電端口和所述第七諧振器層(8)的饋電端口位于所述基于源和負載耦合的垂直交指濾波器的同一側。

7.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，每個介質層的材料為Ferro-A6生胚材料。

8.如權利要求1所述的一種基于源和負載耦合的垂直交指濾波器，其特征在于，所述第一諧振器層(2)的饋電端口設置有抽頭線(14)，所述第七諧振器層(8)的饋電端口設置有抽頭線(14)；

所述同軸線(10)包括位于其外部的金屬管狀外導體、位于金屬管狀外導體內部的內導體、以及位于金屬管狀外導體和內導體之間的絕緣介質，所述內導體的橫截面為圓形，所述金屬管狀外導體中心線與所述內導體的中心線重合，所述內導體的橫截面的直徑小于抽頭線(14)的直徑，并且大于所述抽頭線(14)的直徑的一半。