[發明專利]一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法

在審

• 申請號: 201410796615.X
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN104602454A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 劉兆
• 申請（專利權）人: 泰州市博泰電子有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 田欣欣;李雪花

1.一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于，包括

（1）制作基板納米復合介質層，采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例進行混合并加入半固態納米復合材料，經球磨機高溫球磨一段時間形成基板納米復合介質材料，然后過將基板納米復合介質材料置于模具中經高溫壓合形成基板納米復合介質材料層；

（2）制作PTFE分散液與玻璃布浸膠粘結片，選取玻璃纖維布放入PTFE樹脂內經浸膠機進行預浸漬，然后高溫燒結后制得玻璃布浸膠粘膠片；

（3）制作PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板，選取銅箔層，絕緣介質材料層，玻璃布浸膠粘結片，金屬基材，將絕緣介質材料層設置在銅箔的上方，中間用玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，絕緣介質層上方為金屬基板，中間用玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經高溫環境帶壓加工壓制成型。

2.根據權利要求1所述的一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于：所述步驟（1）中球磨機球磨時間為36小時，將基板納米復合介質材料置于模具中經300℃溫度壓合形成基板納米復合介質材料層。

3.根據權利要求1所述的一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中選取厚度小于0.03mm的玻璃纖維布放入PTFE樹脂內經浸膠機進行預浸漬，然后在260℃高溫燒結后制得所述的玻璃布浸膠粘膠片。

4.根據權利要求1所述的一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中銅箔層選用厚度為35um-280um的銅箔層。

5.根據權利要求1所述的一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中金屬基基板的板材是鋁、鋁合金、銅、銅合金、不銹鋼中的任意一種。

6.根據權利要求1所述的一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中高溫環境為300±10℃。