[發明專利]顯示陣列基板、補償方法、顯示面板和顯示裝置在審
| 申請號: | 201410796084.4 | 申請日: | 2014-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN104409046A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 殷新社;王穎;李光 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 陣列 補償 方法 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及OLED顯示技術領域,尤其涉及一種顯示陣列基板、補償方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
AMOLED(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode,有源矩陣有機發光二極管)顯示器是當今平板顯示器研究領域的熱點之一。有機發光二極管(OLED)具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角及響應速度快等優點。像素驅動電路設計是AMOLED顯示器核心技術內容,具有重要的研究意義。在AMOLED顯示器中,需要穩定的電流來控制OLED發光。
現有最基本的AMLOED像素驅動電路包括1個驅動晶體管DTFT,一個開關晶體管T1和一個存儲電容Cs,當掃描線選擇某一行時,該行上的掃描信號Gate(n)為低電平,T1導通,對應于灰階等級的數據電壓Vdata寫入存儲電容Cs,當該行掃描結束后,Vscan變為高電平,T1關斷,存儲在Cs上的柵極電壓驅動DTFT,使DTFT產生電流來驅動OLED,保證OLED在一幀內持續發光,流過OLED的電流IOLED=K(VGS-Vth)2=K(Vdata-ELVDD-Vth)2,其中,K為常數,VGS為DTFT的柵源電壓,Vth為DTFT的閾值電壓,ELVDD為電源電壓。現有的像素補償電路只會補償由于工藝制程和器件老化等原因各像素點的驅動晶體管DTFT的閾值電壓Vth產生的漂移。
然而應當注意到,由以上的流過OLED的電流的公式可知,該電流還受電源電壓ELVDD的影響,而由于OLED是電流驅動型器件,因此傳送ELVDD的電源線上的電流比較大。如圖2所示,在該OLED顯示面板上,有效顯示區內的每一列的像素點都對應接有一電源線,由有效顯示區外部的電源引線ELVDD_O向設置于有效顯示區內部的多條電源線傳送電源電壓。由于OLED顯示面板的有效顯示區中的傳送ELVDD的電源線上有大電流從上面向下流過,造成在OLED顯示面板上,電源電壓ELVDD在左上部分比左邊中間部分高,電源電壓ELVDD在左邊中間部分比左邊下邊部分高,同樣,電源電壓ELVDD在右上部分比右邊中間部分高,電源電壓ELVDD在右邊中間部分比右邊下邊部分高。
在圖2中,第一電源電壓輸入點BLP位于OLED顯示面板的左下方;第二電源電壓輸入點ULP位于OLED顯示面板的左上方;第三電源電壓輸入點URP位于OLED顯示面板的右上方;第四電源電壓輸入點BRP位于OLED顯示面板的右下方;第五電源電壓輸入點MLP位于OLED顯示面板的左邊中部,第六電源電壓輸入點MRP位于OLED顯示面板的右邊中部;則VULP>VMLP>VBLP,VURP>VMRP>VBRP;其中,VULP為ULP的電壓,VMLP為MLP的電壓,VBLP為BLP的電壓,VURP為UR的電壓,VMRP為MR的電壓,VBRP為BR的電壓。
根據以上的流過OLED的電流的公式,可以得出,整個OLED顯示面板上的亮度從上到下逐漸變亮,亮度的均勻性出現不良。現有技術中都是通過選擇材料降低傳送ELVDD的電源線上的電阻,從而降低IR壓降(IR壓降是指出現在集成電路中電源和地網絡上電壓下降或升高的一種現象)差異。但是隨著分辨率增加,留給電源線布線的空間更小,所以引起OLED顯示面板上的IR壓降變得很嚴重。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種顯示陣列基板、補償方法、顯示面板和顯示裝置,以防止由于像素點接入電源電壓的差異而引起的流過驅動發光元件的驅動晶體管的電流的差異所引起的顯示面板上的像素點的亮度差異。
為了達到上述目的,本發明提供了一種顯示陣列基板,包括至少一電源線和電壓提供單元,其中,
所述至少一電源線分別對應連接于該顯示陣列基板上的有效顯示區內的至少一列的像素點;
所述電壓提供單元,設置于所述有效顯示區外,用于為該至少一電源線上選取的至少兩個電源電壓輸入點分別提供電源電壓;
該至少兩個電源電壓輸入點之間的電壓差值的絕對值小于預定電壓閾值。
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