[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法，薄膜晶體管組件、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410796010.0
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104393053B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 周慶高;李鵬;馮忠;孟盼盼;劉祖宏;吳代吾;侯智
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/02;H01L21/336;G02F1/1333
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯雄軍

薄膜晶體管及其制作方法，薄膜晶體管組件、陣列基板及顯示裝置，一種薄膜晶體管，包括：基板；設置在基板上的柵極、柵極絕緣部、半導體部、源極和漏極，半導體部與柵極之間利用柵極絕緣部隔開，源極和漏極與半導體部連接，其中：柵極和半導體部在基板上的投影彼此不重疊。柵極、柵極絕緣部、半導體部、源極和漏極可同層布置。或者，柵極絕緣部的一部分設置在半導體部和源、漏極所在層與基板之間；且柵極直接設置在基板上。或者，半導體部和源、漏極同層直接布置在基板上；且柵極絕緣部的一部分設置在柵極所在層與基板之間。

技術領域

本發明的實施例涉及顯示技術領域，尤其涉及薄膜晶體管及其制作方法，薄膜晶體管組件、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

在TFT-LCD中，需要使用薄膜晶體管場效應管(TFT)。TFT由柵極、源極、漏極、有源層等形成，通過柵極控制TFT以使得TFT起到開關作用，通過外接輸入的數據電信號產生電容的電勢變化，從而驅動液晶偏轉，在屏幕上呈現出圖像或者畫面。

現有技術中TFT-LCD的制造工藝一般包括如下流程：在基板上形成柵極層(金屬層)、然后形成柵極絕緣層、在柵極絕緣層上形成半導體層(例如使用a-Si)、在半導體層上形成源漏極層(金屬層)、在源漏極層上形成鈍化層、最后形成像素電極層。

基于上述工藝制造的TFT中，其膜層的數量最多處可達6層，最少處可至2層，段差比較大，很容易產生斷線。

發明內容

本發明的目的是減少TFT的膜層數，從而降低TFT制造過程中由于段差較大而造成的斷線不良率。

為達到上述目的，本發明的技術解決方案如下：

根據本發明的實施例的一個方面，提出了一種薄膜晶體管，包括：基板；設置在基板上的柵極、柵極絕緣部、半導體部、源極和漏極，半導體部與柵極之間利用柵極絕緣部隔開，源極和漏極與半導體部連接，其中：柵極和半導體部在基板上的投影彼此不重疊。

在一個可選的實施例中，源極、漏極、柵極分別具有露出到鈍化層外側的部分；源極連接部、漏極連接部和柵極連接部在鈍化層外側分別與源極、漏極和柵極電連接。

可選地，柵極、柵極絕緣部、半導體部、源極和漏極同層布置。

或者可選地，柵極絕緣部的一部分設置在半導體部和源、漏極所在層與基板之間；且柵極直接設置在基板上。

或者可選地，半導體部和源、漏極同層直接布置在基板上；且柵極絕緣部的一部分設置在柵極所在層與基板之間。

可選地，上述薄膜晶體管還包括鈍化層，柵極、源極、漏極、柵極絕緣部和半導體部設置在基板與鈍化層之間。

根據本發明的實施例的另一方面，提出了一種薄膜晶體管組件，包括：上述的具有鈍化層的薄膜晶體管；和分開設置的源極連接部、漏極連接部和柵極連接部，源極連接部、漏極連接部和柵極連接部分別與源極、漏極和柵極電連接。

可選地，源極、漏極、柵極分別具有露出到鈍化層外側的部分；源極連接部、漏極連接部和柵極連接部在鈍化層外側分別與源極、漏極和柵極電連接。

或者可選地，鈍化層的邊緣設置有三個凹口，分別露出源極、漏極、柵極；源極連接部、漏極連接部和柵極連接部經由所述三個凹口分別與源極、漏極和柵極電連接。

或者可選地，鈍化層設置有三個過孔，分別露出源極、漏極、柵極；源極連接部、漏極連接部和柵極連接部經由所述三個過孔分別與源極、漏極和柵極電連接，源極連接部、漏極連接部和柵極連接部中的每一個至少部分位于鈍化層上。

根據本發明的實施例的再一方面，提出了一種薄膜晶體管的制造方法，包括步驟：提供基板；和在基板上設置柵極、柵極絕緣部、半導體部、源極和漏極，使得半導體部與柵極之間利用柵極絕緣部隔開，源極和漏極與半導體部連接，且柵極和半導體部在基板上的投影彼此不重疊。