[發明專利]光敏元件

有效

• 申請號: 201410796003.0
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN104485382A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 陳平;盧亞賓;李星;趙東旭;林列
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 宋鷹武;沈祖鋒

1.一種光敏元件，其特征在于，包括半導體有源層、納米孔陣列層、亞微米顆粒層、陽極和陰極，所述納米孔陣列層設有貫穿所述納米孔陣列層的納米孔，所述納米孔沿所述納米孔陣列層的厚度方向延伸，所述半導體有源層、所述納米孔陣列層和所述亞微米顆粒層依次層疊，所述納米孔陣列層和所述亞微米顆粒層的兩端對齊，所述陽極和所述陰極均位于所述半導體有源層上，且所述陽極和所述陰極分別位于所述納米孔陣列層和亞微米顆粒層的兩端。

2.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述半導體有源層的材料為硅、鍺或銦鎵砷至少一種。

3.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述納米孔陣列層的材料為金、銀或銅。

4.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述納米孔陣列層的所述納米孔的孔徑為300nm～400nm，相鄰的所述納米孔之間的距離為0.1nm～200nm，所述納米孔陣列層的厚度為50nm～100nm。

5.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述納米孔陣列層的所述納米孔的孔徑為350nm。

6.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述亞微米顆粒層的材料可以為金、銀或銅。

7.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述亞微米顆粒層的亞微米顆粒包括中心納米顆粒和凸出于所述中心納米顆粒表面的多顆周圍納米顆粒。

8.如權利要求7所述的光敏元件，其特征在于，所述中心納米顆粒的粒徑為200nm～400nm，所述周圍納米顆粒的粒徑為100nm～150nm。

9.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述亞微米顆粒層的亞微米顆粒的粒徑為300nm～550nm。

10.如權利要求1所述的光敏元件，其特征在于，所述陽極的材料為金、銀、銅或鉑，所述陰極的材料為金、銀、銅或鉑。