[發(fā)明專利]微機(jī)電系統(tǒng)元件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410792537.6 | 申請日： | 2014-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN105776123A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李岳剛;陳立業(yè);藍(lán)苡僑 | 申請（專利權(quán)）人： | 力智電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微機(jī) 系統(tǒng) 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，包括：
形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)在襯底上，所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)具有至少一空腔；
形成第一介電層，覆蓋在所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上，并填入在所述至少一 空腔中；
形成頂蓋層在所述第一介電層上，所述頂蓋層具有多數(shù)個釋放孔，其中 所述釋放孔位于所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上；
形成第二介電層在所述頂蓋層上，所述第二介電層填入在所述釋放孔中；
對所述第二介電層進(jìn)行平坦化工藝，以形成平坦化的第二介電層，其中 所述第一介電層仍在所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上以及所述至少一空腔中；以及
進(jìn)行釋放工藝，以移除所述釋放孔上方的所述平坦化的第二介電層以及 下方的所述第一介電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，在 形成所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)之前，還包括在對應(yīng)于所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)下方的 所述襯底上形成停止層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，還 包括在所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中形成多數(shù)個支撐結(jié)構(gòu)，分別連接所述頂蓋層與 所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)下方的導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，所 述釋放工藝包括蝕刻工藝，所述蝕刻工藝包括氣相蝕刻工藝、液相蝕刻工藝 或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，還 包括在進(jìn)行所述釋放工藝之后，形成密封層覆蓋所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，還 包括在進(jìn)行所述釋放工藝之前，形成導(dǎo)體墊在所述平坦化的介電層上，所述 導(dǎo)體墊與所述頂蓋層連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，還 包括在形成所述導(dǎo)體墊之后，形成鈍化層在所述平坦化的第二介電層上，所 述鈍化層覆蓋部分所述導(dǎo)體墊，且所述鈍化層具有開口，暴露出部分所述釋 放孔上的所述平坦化的第二介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，所 述鈍化層的材料包括氮化硅、氮化鈦、非晶硅或其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件的制造方法，其特征在于，所 述平坦化工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨工藝、回蝕刻或其組合。
10.一種微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，包括：
微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，位于襯底上，所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中具有至少一空腔；
周邊結(jié)構(gòu)，位于所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)一側(cè)的所述襯底上；
頂蓋層，位于所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與所述周邊結(jié)構(gòu)上；
導(dǎo)體墊，位于所述周邊結(jié)構(gòu)的所述頂蓋層上，其通過所述頂蓋層與所述 周邊結(jié)構(gòu)電性連接；以及
密封層，覆蓋所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，且覆蓋部分所述導(dǎo)體墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，還包括多數(shù) 個支撐結(jié)構(gòu)，位于所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，分別連接所述頂蓋層與所述微機(jī) 電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)下方的導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，所述支撐結(jié) 構(gòu)的材料包括摻雜多晶硅、非摻雜多晶硅、單晶硅或其組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，還包括鈍化 層，覆蓋部分所述導(dǎo)體墊，且位于所述導(dǎo)體墊與所述密封層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，所述鈍化層 的材料包括氮化硅、氮化鈦、非晶硅或其組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，所述微機(jī)電 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的材料包括摻雜多晶硅、非摻雜多晶硅、單晶硅或其組合。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微機(jī)電系統(tǒng)元件，其特征在于，所述頂蓋層 的材料包括摻雜多晶硅、非摻雜多晶硅、單晶硅或其組合。
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