[發明專利]一種有機金屬鹵化物薄膜及其制備方法與應用

在審

• 申請號: 201410792423.1
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104505462A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 范平;羅景庭;梁廣興;鄭壯豪
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、將有機金屬鹵化物前驅體晶體研磨至粉末，所述有機金屬鹵化物中有機部分為CH₃NH₃，?金屬為Ge、Sn、Pb中的一種，鹵素為I、Cl、Br中的一種；把研磨好的晶體粉末作為蒸鍍粉末原料放入鍍膜室的蒸發舟或坩堝中待蒸發；

B、將基片放于鍍膜室的樣品架上待沉積有機金屬鹵化物薄膜；

C、對鍍膜室抽氣，開啟蒸發源電源，并控制蒸發源蒸發參數，在基片上形成有機金屬鹵化物薄膜。

2.根據權利要求1所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述有機金屬鹵化物中有機部分為CH₃NH₃，金屬為Ge、Sn或Pb中的兩種或三種元素的摻雜金屬，鹵素為I、Cl或Br中的兩種或三種元素的摻雜鹵素。

3.根據權利要求2所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述有機金屬鹵化物為CH₃NH₃（Ge_aSn_bPb_c）（I_eCl_fBr_g）₃，?控制a+b+c=1和e+f+g=1。

4.根據權利要求1所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，所述基片包括剛性基片和柔性基片。

5.根據權利要求4所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，所述剛性基片為玻璃基片。

6.根據權利要求1所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，鍍膜室壓強抽至0.1Pa以下。

7.根據權利要求1所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，所述蒸發源蒸發參數包括：蒸鍍電流、功率、設計膜料加熱程序和周期。

8.根據權利要求1所述有機金屬鹵化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C之后還包括：對形成的有機金屬鹵化物薄膜進行原位30-800℃熱處理。

9.一種有機金屬鹵化物薄膜，其特征在于，應用如權利要求1-8任一所述有機金屬鹵化物薄膜制備方法制備而成。

10.一種如權利要求9所述有機金屬鹵化物薄膜的應用，其特征在于，將所述有機金屬鹵化物薄膜應用于太陽電池中。