[發明專利]金屬引線框高導熱倒裝片封裝結構及其工藝方法

在審

• 申請號: 201410791156.6
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104465598A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 龔臻;薛海冰
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種金屬引線框高導熱倒裝片封裝結構，其特征在于：它包括基板（1）和芯片（3），所述基板（1）正面設置有凸塊容置槽（2），所述芯片（3）通過金屬凸塊（4）倒裝于基板（1）上，所述金屬凸塊（4）設置于凸塊容置槽（2）內，所述芯片（3）底面與基板（1）正面相接觸，所述芯片（3）和基板（1）周圍包封有塑封料（5）。

2.一種金屬引線框高導熱倒裝片封裝結構的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼光阻膜作業

在金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟三、金屬基板正面及背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業的金屬基板正面及背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行蝕刻的區域；

步驟四、蝕刻

在步驟三中金屬基板正面及背面去除部分光阻膜的區域進行化學蝕刻，形成相應的引腳；

步驟五、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟六、貼光阻膜作業

在金屬基板正面及背面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要蝕刻的區域；

步驟八、二次蝕刻

在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域進行化學蝕刻，形成和后續倒裝芯片金屬凸塊對應的容置槽；

步驟九、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十、裝片

將芯片倒裝在金屬基板上，使芯片上的金屬凸塊位于基板二次蝕刻形成的容置槽內，并使芯片底面和金屬基板表面直接接觸；

步驟十一、回流焊

回流焊使芯片和金屬基板引腳之間形成穩固的電性連接，同時芯片表面和金屬基板表面穩固接觸；

步驟十二、塑封

把芯片使用塑封料塑封保護；

步驟十三、電鍍抗氧化金屬層

在步驟十二塑封后金屬基板表面裸露在外的金屬表面進行抗氧化金屬層電鍍；

步驟十四、成品切割

把完成電鍍的框架進行切割，形成單顆產品。