[發(fā)明專利]金屬基帶上外延CeO2厚膜的電化學沉積方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410791054.4
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104562127A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 蔡傳兵;桑麗娜;魯玉明;劉志勇;白傳易
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于，具體工藝步驟為：

a．配置溶液過程：首先稱取定量的無機鈰鹽作為溶質(zhì)，然后用二甲基亞砜或含有1~10%無水乙醇的二甲基亞砜試劑作為溶劑，將無機鈰鹽稀釋溶解，通過密封攪拌接近10個小時，形成鈰離子濃度為1~5?mmol/L的鈰鹽溶液；

b.?電沉積過程：將在所述步驟a中制備的鈰鹽溶液倒入沉積反應容器中，將金屬基帶作為陰極，另外采用輔助電極作為陽極，形成電鍍反應裝置，金屬基帶在沉積前依次在丙酮和無水乙醇中超聲清洗5?min，沉積過程采用恒流模式，電流密度為0.1~1?mA/cm²,?沉積時間為3?~?16?min，通過調(diào)整電流密度和沉積時間控制沉積速率和沉積膜的厚度，電化學沉積后將金屬基帶再依次用無水乙醇漂洗，干燥，獲得前驅(qū)物膜；

c.?高溫退火過程：將在所述步驟b中所得前驅(qū)物膜放入非真空高溫管式爐，在爐內(nèi)流動的還原氣氛中進行退火熱處理，從室溫以10℃/min的升溫速率升至800~950℃，保溫1小時后，隨爐自然冷卻至室溫，即在金屬基帶上得到厚度為60~?300nm的外延單層CeO₂緩沖層厚膜。

2.根據(jù)權利要求1所述金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于：在所述步驟b中，采用制備涂層導體緩沖層的方法是非真空方法。

3.根據(jù)權利要求1所述金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于：在所述步驟a中，所述原料無機鈰鹽為氯化鈰。

4.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于：在所述步驟b中，所述輔助電極采用的是FTO導電玻璃。

5.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于：在所述步驟c中，爐內(nèi)流動的還原氣氛為Ar-5%H₂氣氛。

6.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述金屬基帶上外延CeO₂厚膜的電化學沉積方法，其特征在于：在所述步驟b中，所述金屬基帶為NiW基帶。