[發明專利]自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法

有效

• 申請號: 201410789712.6
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN104485389A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 陳艷
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于該方法的步驟如下：

(a)硅基體清洗，去除損傷層，并在硅基體的正面制絨；

(b)再在硅基體正面的制絨面上采用原子層沉積法沉積三氧化二鋁層，然后再在三氧化二鋁層的上表面旋涂磷源；

(c)再將經過步驟(b)處理后的硅基體放置在溫度環境中沉積，使三氧化二鋁層內部產生氣泡，從而使磷源擴散形成自對準選擇性發射結，該自對準選擇性發射結在三氧化二鋁層的起泡區域形成重擴散區，非起泡區形成輕擴散區；

(d)洗去三氧化二鋁層，再放入溫度環境中，使自對準選擇性發射結推進，達到所需的結深和表面濃度；

(e)對硅基體的背面清洗；

(f)再在對準選擇性發射結的上表面沉積減反射膜；

(g)正、背面分別進行金屬化；

(h)燒結并測試后，得到成品。

2.根據權利要求1所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：所述的硅基體為P型直拉單晶硅。

3.根據權利要求2所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：所述的硅基體的電阻率為1-6ohm·cm。

4.根據權利要求1所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：在所述的步驟(b)中，三氧化二鋁層的厚度為7nm。

5.根據權利要求1所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：在所述的步驟(c)中，溫度環境的溫度值為500℃。

6.根據權利要求1所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：在所述的步驟(d)中，溫度環境的溫度值為700℃。

7.根據權利要求1所述的自對準選擇性擴散的太陽能電池形成方法，其特征在于：在所述的步驟(g)中，正面采用銀漿進行金屬化形成正面銀柵極，背面采用鋁漿進行金屬化形成背場，再在背場上采用銀漿形成背面銀柵極。