[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410789043.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN104466022B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳紅;彭兆基;金波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，包括像素單元層，所述像素單元層一側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)置陽極層，另一側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)置陰極層，所述像素單元層包括若干發(fā)光顏色不全相同且呈陣列排布的子像素，其特征在于，至少一發(fā)光顏色的子像素對(duì)應(yīng)的陰極層厚度與其余發(fā)光顏色的子像素對(duì)應(yīng)的陰極層厚度不同；且不同發(fā)光顏色的子像素的厚度不同；

各所述子像素對(duì)應(yīng)的陰極層均包括第一陰極層，至少一種發(fā)光顏色的子像素對(duì)應(yīng)的陰極層包括第二陰極層，且所述第二陰極層不全覆蓋所有發(fā)光顏色的子像素；所述第二陰極層堆疊設(shè)置在所述第一陰極層的下側(cè)；

所述子像素的厚度越大，該子像素對(duì)應(yīng)的第一、第二陰極層的厚度和越大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所述第一陰極層為M、Ag及其合金中的一層或多層形成的堆疊層，M為Mg、Li、K、Ca、Na、Sr、Cs、Ba、Yb中的一種；所述第二陰極層為Mg、Ag及其合金中的一層或多層形成的堆疊層，或Li、K、Ca、Na、Sr、Cs、Ba、Yb中的一層或多層形成的堆疊層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為所述第二陰極層的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所述陽極層為X層或依次堆疊的X層/Ag層/X層，X為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件包括電極引線，所述子像素的陣列外圍還設(shè)置有導(dǎo)電條，所述導(dǎo)電條覆蓋所述陰極層端部以及所述電極引線的部分區(qū)域，用于搭接導(dǎo)通所述陰極層與所述電極引線，所述導(dǎo)電條為Ag、Al、Cu、Au及其合金中的一層或多層形成的堆疊層，所述導(dǎo)電條的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所述陰極層上還設(shè)置有連續(xù)的覆蓋所有所述有機(jī)發(fā)光二極管的光學(xué)覆蓋層。

7.一種權(quán)利1-6任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底上形成陽極層；

在所述陽極層上形成像素單元層，所述像素單元層包括若干發(fā)光顏色不全相同且呈陣列排布的子像素；

在所述像素單元層上形成陰極層，其中，至少一發(fā)光顏色的子像素對(duì)應(yīng)的陰極層厚度與其余發(fā)光顏色的子像素對(duì)應(yīng)的陰極層厚度不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制備方法，其特征在于，所述在像素單元層上形成陰極層的步驟，具體包括：在所述像素單元層上形成覆蓋所有子像素的第一陰極層；在至少一種發(fā)光顏色相同的子像素上形成第二陰極層，且所述第二陰極層不全覆蓋所有發(fā)光顏色的子像素。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制備方法，其特征在于，還包括在陽極層外圍形成導(dǎo)電條的步驟，所述導(dǎo)電條用于搭接導(dǎo)通所述陰極層與電極引線，還包括在所述陰極層上形成光學(xué)覆蓋層的步驟。