[發明專利]一種金屬/柔性介質層/金屬周期結構吸波材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201410788230.9
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN104505598A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 董鳳良;徐麗華;宋志偉;閆蘭琴;褚衛國
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 鞏克棟;楊晞

1.一種金屬/柔性介質層/金屬周期結構吸波材料的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)在柔性襯底的一面制備金屬膜；

(2)在柔性襯底的另一面旋涂光刻膠，并烘烤；

(3)對光刻膠曝光并顯影后，得到光刻膠周期結構圖形；

(4)在有光刻膠周期結構圖形的一面，采用電子束蒸發沉積金屬膜；

(5)利用剝離工藝得到金屬/柔性介質層/金屬周期結構的金屬膜結構的吸波材料。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中柔性襯底為聚酰亞胺膜、超薄玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚對萘二甲酸乙二醇酯中任意一種或至少兩種的組合。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中柔性襯底經以下預處理：

(1)將柔性襯底放入丙酮溶液中超聲清洗5-10min；

(2)取出襯底放入異丙醇中超聲清洗5-10min；

(3)取出襯底用去離子水清洗干凈，使用氮氣槍將襯底吹干。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)和步驟(4)中金屬膜采用的金屬獨立地為Ti和/或Au；

優選地，所述步驟(1)中制備金屬膜的方法為濺射和/或電子束蒸發工藝；

優選地，所述步驟(1)和步驟(4)中金屬膜厚度獨立地為使電磁波不透過；

優選地，所述步驟(1)和步驟(4)中金屬膜厚度獨立地為不低于200nm。

5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂光刻膠的方法為旋涂電子束正性光刻膠和/或旋涂光學光刻膠；

優選地，所述步驟(2)中烘烤通過熱板和/或烘箱完成。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂光刻膠的方法為旋涂電子束正性光刻膠，其烘烤溫度為150～200℃；

優選地，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠的烘烤溫度為180℃；

優選地，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠采用熱板烘烤的時間為1～10min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠采用熱板烘烤的時間為2min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠采用烘箱烘烤的時間≥10min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠采用烘箱烘烤的時間為10～60min。

7.根據權利要求5-6任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂光刻膠的方法為旋涂光學光刻膠，其烘烤溫度為80～120℃；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠時的烘烤溫度為110℃；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠時采用熱板烘烤的時間為1～10min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠時采用熱板烘烤的時間為5min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠時采用烘箱烘烤的時間≥10min；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠時采用烘箱烘烤的時間為10～60min。

8.根據權利要求5-7任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂電子束正性光刻膠的電子束正性光刻膠為ZEP?520A和/或PMMA；

優選地，所述步驟(2)中旋涂光學光刻膠的光學光刻膠為S1813。

9.根據權利要求1-8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中對光刻膠曝光并顯影通過電子束直寫技術或紫外光刻完成；

優選地，所述步驟(5)中的剝離工藝為：使用除膠劑，并進行超聲處理；

優選地，所述步驟(5)中的除膠劑為丙酮和/或丁酮。

10.一種如權利要求1-9任一項所述制備方法制備得到金屬/柔性介質層/金屬周期結構吸波材料。