[發明專利]薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201410787400.1
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN105374687B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 張錫明;黃彥馀
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;尚群

一種薄膜晶體管的制造方法，包括：于基板上形成柵極電極；于基板上形成柵極絕緣層覆蓋柵極電極；于柵極絕緣層上形成通道層，且通道層位于柵極電極上方，其中該通道層具有一第一部位與一第二部位，并且該第一部位與該第二部位彼此不相連；于柵極絕緣層上形成蝕刻阻擋層覆蓋通道層并使通道層的第一部位顯露于外；于柵極絕緣層上形成第一電極覆蓋并接觸第一部位；去除部分蝕刻阻擋層以暴露通道層的第二部位；于柵極絕緣層上形成第二電極覆蓋并接觸第二部位。

技術領域

本發明涉及一種顯示面板的制造方法，特別是一種顯示面板的薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

現今的顯示面板多半具有多個呈陣列排列的薄膜晶體管來驅動液晶分子的偏轉。而各個薄膜晶體管的源極電極與漏極電極可以是經由兩次光刻(即微影與蝕刻)而分別形成，藉以避免各個薄膜晶體管的通道長度受限于曝光設備的曝光精準度(目前約為3μm)。

然而，在以往分別形成源極電極與漏極電極的過程中，大都未對薄膜晶體管中的通道層進行保護，使得對于水氣、氧氣、氫氣、制程溫度、蝕刻液等外在環境因素具有較高敏感性的通道層，易在薄膜晶體管的制造過程中，受到外在環境因素影響而產生損傷。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管的制造方法，以解決現有技術所面臨的問題。

為了實現上述目的，本發明提供了一種薄膜晶體管的制造方法，包括下列步驟：于一基板上形成一柵極電極；于該基板上形成一柵極絕緣層，其中該柵極絕緣層覆蓋該柵極電極；于該柵極絕緣層上形成一通道層，其中該通道層具有一第一部位與一第二部位，且該第一部位與該第二部位彼此不相連；于該柵極絕緣層上形成一蝕刻阻擋層，其中該蝕刻阻擋層覆蓋部分該通道層并暴露該通道層的該第一部位；于該柵極絕緣層上形成一第一電極，其中該第一電極覆蓋并接觸該通道層的該第一部位及其鄰近的該蝕刻阻擋層部位；去除部分該蝕刻阻擋層，以暴露該通道層的該第二部位；以及于該柵極絕緣層上形成一第二電極，其中該第二電極覆蓋并接觸該通道層的該第二部位及其鄰近的該蝕刻阻擋層部位。

上述的薄膜晶體管的制造方法，其中，該第一電極為一源極電極，該第二電極為一漏極電極。

上述的薄膜晶體管的制造方法，其中，于形成該柵極電極的步驟中同時形成一柵極線，并且該柵極線一體相連于該柵極電極；于形成該源極電極的步驟中同時形成一源極線，并且該源極線一體相連于該源極電極；于形成該漏極電極的步驟中同時形成一像素電極，并且該像素電極一體相連于該漏極電極。

上述的薄膜晶體管的制造方法，其中，在形成該蝕刻阻擋層并暴露該通道層的該第一部位的步驟之后，包括下述步驟：

于該柵極絕緣層上形成一第一導電層，其中該第一導電層覆蓋該蝕刻阻擋層及該通道層的該第一部位；

于該第一導電層上形成一第一圖案化光阻層；

蝕刻去除該第一導電層未被該第一圖案化光阻層覆蓋的部位，以使該第一導電層形成該源極電極與該源極線；以及

去除該第一圖案化光阻層。

上述的薄膜晶體管的制造方法，其中，在去除部分該蝕刻阻擋層以暴露該通道層的該第二部位的步驟之后，包括下述步驟：

于該柵極絕緣層上形成一第二導電層，其中該第二導電層覆蓋該源極電極、該源極線、該蝕刻阻擋層及該通道層的該第二部位；

于該第二導電層上形成一第二圖案化光阻層；

蝕刻去除該第二導電層未被該第二圖案化光阻層覆蓋的部位，以使該第二導電層形成該漏極電極與該像素電極；以及

去除該第二圖案化光阻層。

上述的薄膜晶體管的制造方法，其中，該第一電極的材質不同于該第二電極的材質。