[發明專利]一種多片碳化硅半導體材料制造裝置

在審

• 申請號: 201410787354.5
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN104538289A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 閆果果;孫國勝;劉興昉;張峰;王雷;趙萬順;曾一平
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L21/205
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種半導體材料生長制造裝置，包括：主腔室，進氣系統，石墨托，感應加熱線圈，旋轉系統和排氣系統；所述進氣系統用于向所述主腔室輸入材料生長所需的氣體；所述石墨托用于放置襯底材料，位于所述進氣系統下方；所述感應加熱線圈用于加熱，位于所述石墨托下方；所述旋轉系統與所述石墨托連接，用于帶動所述石墨托進行旋轉；所述排氣系統用于向主腔室外部排出反應后的廢氣。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述主腔室為一圓柱形的不銹鋼中空體，用于提供半導體材料外延生長的真空環境；所述主腔室內壁設置有可動保溫墻，其中間形成樣品生長室。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述可動保溫墻為整體可動保溫墻，或多扇獨立可動保溫墻。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述進氣系統包括進氣管道和氣體噴嘴；所述進氣管道下端連接所述氣體噴嘴，所述氣體噴嘴探入所述主腔室內部。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述氣體噴嘴為不銹鋼盤和其上螺旋狀排列的圓形小孔構成。

6.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述進氣管道由至少兩層管道套管而成，其中外部套管與內部套管之間的通道所輸送的氣體用于限制所述內部套管的氣體流向。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述石墨托為覆蓋了碳化硅材料的壓制石墨體；其上具有多個襯底槽，用于放置襯底片。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述旋轉系統包括用來支撐石墨托的支架以及主腔室外部的旋轉電機，所述支架與石墨托的下方連結，在所述電機帶動下可帶動所述石墨托進行旋轉。

9.如權利要求8所述的裝置，其中，所述支架為鉬金屬支架，其高度可調節。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述排氣系統包括多根排氣管道，分布在所述主腔室下端部的四周。