[發明專利]一種高轉化效率的太陽能背板薄膜無效
| 申請號: | 201410785955.2 | 申請日: | 2014-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN104485377A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 潘宇鋒 | 申請(專利權)人: | 江蘇宇昊新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/056;B32B15/082;B32B17/10;B32B27/06;B32B27/08;B32B27/30;B32B27/36;B32B33/00 |
| 代理公司: | 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁紅紅 |
| 地址: | 215500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉化 效率 太陽能 背板 薄膜 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能光伏組件領域,特別是涉及一種高轉化效率的太陽能背板薄膜。
背景技術
太陽能電池組件封裝材料主要包括玻璃、EVA膠膜、電池片、邊框、背膜、接線盒、硅膠等,目前除背膜以外的其他封裝材料均已在中國光伏產業實現高度國產化,大大降低了太陽電池組件單位發電功率的制造成本。但是,背膜作為一類重要的太陽電池組件封裝材料,其技術門檻要求相當高,加之相關原材料長期受到國外氟化工巨頭的專利技術制約,時至今日其國產化程度仍極低,造成現在國內太陽電池組件生產商所采用的背膜大多為國外進口產品,價格較高且供貨期不能保證。因此,從降低太陽電池組件單位發電功率的制造成本角度來講,背膜國產化是中國光伏企業的必然選擇。
背膜設在太陽能電池組件的最外層,起著保護太陽片的作用,其一面與EVA膠膜粘結,另一面與空氣接觸,為了保證太陽能電池組件的性能,背膜必須具有良好的絕緣性、耐候性、水汽阻隔性等性能。而目前背板薄膜的結構一般包括基材和耐候層,基材一般為聚酯薄膜,耐候層一般為聚氟乙烯薄膜,耐候層設置在基材的一面或者兩面,此結構雖然具有較好的耐候性和水汽阻隔性,但不具有反射層,不能提高太陽能電池組件的光電轉化效率。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種高轉化效率的太陽能背板薄膜,具有良好的絕緣性、耐候性、水汽阻隔性,尤其是具有高反射率,能夠有效提高太陽能光伏組件的光電轉化效率。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種高轉化效率的太陽能背板薄膜,包括:基板、沉積在所述基板上表面的高反射層,所述高反射層包括:第一阻擋層、粘結在所述第一阻擋層上表面的絕緣層、粘結在所述絕緣層上表面的第二阻擋層、粘結在所述第二阻擋層上表面的反射層,所述反射層為納米銀離子涂層,所述絕緣層為聚酯薄膜,所述第一阻擋層和第一阻擋層均為聚氟乙烯薄膜。
在本發明一個較佳實施例中,所述基板為鋁基板、鋁合金基板或鋼化玻璃基板。
在本發明一個較佳實施例中,所述納米銀離子涂層的厚度為30-50nm。
在本發明一個較佳實施例中,所述聚酯薄膜的厚度為0.05-0.1mm。
在本發明一個較佳實施例中,所述聚氟乙烯薄膜的厚度為0.01-0.05mm。
本發明的有益效果是:本發明采用由聚氟乙烯薄膜、聚酯薄膜和納米銀離子涂層復合而成的高反射層,使該背板薄膜具有良好的絕緣性、耐候性、水汽阻隔性,尤其是具有高反射率,能夠有效提高太陽能光伏組件的光電轉化效率。
具體實施方式
下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述,以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
本發明實施例包括:
一種高轉化效率的太陽能背板薄膜,包括:基板、沉積在所述基板上表面的高反射層,所述高反射層包括:第一阻擋層、粘結在所述第一阻擋層上表面的絕緣層、粘結在所述絕緣層上表面的第二阻擋層、粘結在所述第二阻擋層上表面的反射層,所述反射層為納米銀離子涂層,所述絕緣層為聚酯薄膜,所述第一阻擋層和第一阻擋層均為聚氟乙烯薄膜。
其中,所述基板為鋁基板、鋁合金基板或鋼化玻璃基板,具有良好的強度。
所述納米銀離子涂層的厚度為30-50nm,反射率達到90%。
所述聚酯薄膜的厚度為0.05-0.1mm,具有良好的絕緣性。
所述聚氟乙烯薄膜的厚度為0.01-0.05mm,具有良好的耐候性、水汽阻隔性,并能與EVA膠膜有良好的粘結性。
本發明揭示了一種高轉化效率的太陽能背板薄膜,采用由聚氟乙烯薄膜、聚酯薄膜和納米銀離子涂層復合而成的高反射層,使該背板薄膜具有良好的絕緣性、耐候性、水汽阻隔性,尤其是具有高反射率,能夠有效提高太陽能光伏組件的光電轉化效率。
以上所述僅為本發明的實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇宇昊新能源科技有限公司,未經江蘇宇昊新能源科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410785955.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





