[發明專利]一種垂直結構功率器件外延層的生長方法及其功率器件

在審

• 申請號: 201410785079.3
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN104538282A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 苗操;伊迪亞·喬德瑞;楊秀程;朱廷剛;艾俊;王科
• 申請（專利權）人: 江蘇能華微電子科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

1.一種垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于，主要包括以下步驟：

1）在光滑的襯底上生長一層或多層外延過渡層；

2）對所述外延過渡層的上表面進行部分蝕刻處理，以形成具有粗糙面的外延過渡層；

3）在經過步驟2）蝕刻處理后的所述外延過渡層的粗糙面上再生長一層目標外延層。

2.根據權利要求1所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于：所述步驟1）中的所述襯底上生長有多層所述外延過渡層，每層所述外延過渡層的材料相同或不同。

3.根據權利要求2所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于：每層所述外延過渡層的材料為氮化鎵、氮化鋁或氮化鎵鋁。

4.根據權利要求1所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底、硅襯底或碳化硅襯底。

5.根據權利要求1所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于：所述步驟2）中采用干法刻蝕的方法對所述外延過渡層進行蝕刻處理。

6.根據權利要求1所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法，其特征在于：所述目標外延層為氮化鎵外延層。

7.一種基于權利要求1至6任一所述的垂直結構功率器件外延層的生長方法制得的功率器件。