[發明專利]紅外光源修飾層的制備方法

在審

• 申請號: 201410785074.0
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN104528630A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 紀新明
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，包含步驟：

提供紅外光源，所述紅外光源表面設有發熱電極；

在所述發熱電極的表面通過化學反應形成表面粗糙的修飾層。

2.根據權利要求1所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述修飾層的材質為氧化鋁Al₂O₃。

3.根據權利要求2所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述修飾層形成步驟包括：

在所述發熱電極表面形成鋁；

采用金屬氧化物通過置換反應生成氧化鋁。

4.根據權利要求3所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鐵。

5.根據權利要求1所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述紅外光源為支撐式紅外光源，所述支撐式紅外光源包括：

襯底、反射層、支撐體與發熱電極；

所述反射層覆蓋在所述襯底之上；所述支撐體形成在所述反射層上；所述發熱電極固定在所述支撐體上，

其中，所述支撐體的橫截面的圖形與所述發熱電極的圖形相同且重合。

6.根據權利要求5所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述支撐體的材質為二氧化硅SiO₂，所述反射層采用鋁Al、金Au或者銀Ag，所述發熱電極采用氮化鈦TiN。

7.根據權利要求5所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述支撐式紅外光源還包含隔離熱絕緣層；

所述隔離熱絕緣層在所述襯底與所述反射層之間，所述隔離熱絕緣層的材質為二氧化硅。

8.根據權利要求1所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述紅外光源為架空式紅外光源，所述架空式紅外光源包括：

襯底、反射層、支撐結構與發熱電極；

所述反射層覆蓋在所述襯底之上；所述支撐結構形成在所述反射層上；

其中，所述支撐結構與所述反射層之間形成有一空腔，所述發熱電極固定在所述空腔上方支撐結構的表面。

9.根據權利要求8所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述支撐結構包括多個支撐柱，所述支撐柱位于所述發熱電極的正下方。

10.根據權利要求8所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述架空式紅外光源還包含隔離熱絕緣層；

所述隔離熱絕緣層形成在所述襯底與所述反射層之間，所述隔離熱絕緣層的材質為二氧化硅。

11.根據權利要求8所述的紅外光源修飾層的制備方法，其特征在于，所述支撐結構材質為氮化硅，所述反射層采用鋁Al、金Au或者銀Ag，所述發熱電極采用氮化鈦TiN。