[發明專利]非平面器件和應變產生溝道電介質

有效

• 申請號: 201410784304.1
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN105321943B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 江國誠;馮家馨;吳志強
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/762;H01L21/77
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路器件，包括：

襯底；

第一鰭結構和第二鰭結構，所述第一鰭結構和所述第二鰭結構均設置在所述襯底上并且具有限定在所述第一鰭結構和所述第二鰭結構之間的隔離部件溝槽，其中，所述第一鰭結構和所述第二鰭結構均包括設置在所述襯底上的下部和設置在所述下部上的上部，其中，所述下部具有與所述上部不同的半導體材料；

應變部件，設置在所述隔離部件溝槽內的所述襯底的水平面上，并且設置在所述第一鰭結構和第二鰭結構的下部的垂直表面上，而不設置在所述第一鰭結構和所述第二鰭結構的上部的垂直表面上；以及

填充電介質，設置在所述隔離部件溝槽內的所述應變部件上。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述應變部件配置為在所述第一鰭結構上形成的晶體管的溝道區上產生應變。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括設置在所述應變部件和所述填充電介質之間的襯墊。

4.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中，所述襯墊與所述填充電介質的最頂面間隔開。

5.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中，所述隔離部件溝槽內的隔離部件包括位于所述隔離部件的最頂面和所述襯墊的最頂面之間的介電材料。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括第三鰭結構，所述第三鰭結構設置在所述襯底上并且具有設置在所述第三鰭結構上的p-溝道器件，其中，所述第三鰭結構具有設置在所述襯底上的第一層、設置在所述第一層上的第二層以及設置在所述第二層的至少三個表面上的第三層。

7.根據權利要求6所述的集成電路器件，其中，所述第一層包括SiGe，其中，所述第二層包括元素Si，并且其中，所述第三層包括SiGe。

8.一種半導體器件，包括：

襯底；

鰭，所述鰭從所述襯底垂直地延伸出，并且包括兩個或多個源極/漏極區和設置在所述兩個或多個源極/漏極區之間的溝道區，其中，所述鰭包括設置在所述襯底上的下部和設置在所述下部上的上部，其中，所述下部具有與所述上部不同的半導體材料；

隔離部件，設置在與所述鰭相鄰的所述襯底上，其中，所述隔離部件包括：

襯墊，設置在所述鰭的側面上和所述襯底的頂面上；以及

填充材料，設置在所述襯墊上并且具有與所述襯底相對的最頂面，其中，所述襯墊遠離所述填充材料的最頂面設置；以及

應變部件，介于所述鰭的半導體材料和所述襯墊之間，并且設置在所述鰭的下部的垂直表面上，而不設置在所述鰭的上部的垂直表面上。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述襯墊包括SiN，并且其中，所述填充材料包括SiO_x。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述應變部件還設置在所述襯底的所述頂面上介于所述襯底的半導體材料和所述襯墊之間。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，將所述應變部件配置成在所述鰭的所述溝道區中產生溝道應變。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述溝道應變是拉伸應變，

其中，所述鰭包括在所述鰭上形成的n-溝道器件，以及

其中，所述n-溝道器件包括所述溝道區和兩個或多個所述源極/漏極區。