[發明專利]一種能夠提高亮度的發光二極管及制作方法在審
| 申請號: | 201410783931.3 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN104465693A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 王宗澤 | 申請(專利權)人: | 王宗澤 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
| 地址: | 300384 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 能夠 提高 亮度 發光二極管 制作方法 | ||
1.一種能夠提高亮度的發光二極管芯片,包括有由下至上依次設置的基片(11)、絕緣層(12)和金屬層(13),其特征在于,所述的金屬層(13)上并排形成有2組以上的由上下貫通的發光孔槽(14)構成的發光二極管的發光環(15),所述的基片(11)上開有與所述的2組以上的發光環(15)相對應的2組以上的V形槽(16),所述V形槽(16)的表面上覆蓋有絕緣層(12),位于發光環(15)環內側的金屬層(17)與所述的基片(11)直接連接。
2.根據權利要求1所述的一種能夠提高亮度的發光二極管芯片,其特征在于,所述的金屬層(13)上并排形成有2組由上下貫通的發光孔槽(14)構成的發光二極管的發光環(15),所述的基片(11)上開有與所述的2組發光環(15)相對應的2組V形槽(16)。
3.一種權利要求1所述的能夠提高亮度的發光二極管芯片的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)版圖設計,在模板上分割成由多數個格構成的網格,每一個格為一個區域,在每一個區域內布設兩個以上的二極管管芯圖形;
2)形成P-N結,在基片上用擴散方法形成反型層;
3)用刻蝕和鈍化的方法將步驟1)得到的二極管管芯圖形刻蝕在基片上,在一張基片上形成有多數個區域,在每一個區域內形成有兩組以上的V形槽,構成單只的具有兩個以上二極管管芯的二極管芯片的雛形;
4)覆蓋絕緣層,用氧化或氮化方法在基片表面形成絕緣保護層;
5)開引線窗口,在每一個區域內的由V形槽所包圍的基片上刻去部分絕緣層形成裸露區;
6)覆蓋引線金屬層,使位于同一區域內的二極管管芯構成并聯連接;
7)切割分離,將一張基片多數個區域切割分離成單個區域,從而構成單粒的具有兩個以上的相并聯的管芯的發光二極管芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





