[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410781362.9
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN105762118A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 李鴻志;余旭升
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/16
• 分類號: H01L23/16;H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體元件，包括：

基底；以及

介電層，位于所述基底上，所述介電層中具有多個開口，所述開口的側壁具有凹凸輪廓。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其中所述介電層包括多個第一層以及至少一第二層，所述第二層夾于兩個所述第一層之間，其中所述第一層的材料與所述第二層的材料不同。

3.根據權利要求2所述的半導體元件，其中所述介電層包括多個所述第二層，所述第二層與所述第一層相互交替，其中所述第二層相對于所述第一層凸出，而延伸至所述開口中。

4.根據權利要求2所述的半導體元件，其中所述第一層包括氧化物、低介電系數介電材料、旋涂材料或其組合，所述第二層包括氮化物、碳化物、氮碳化物、氮氧化物或其組合。

5.一種半導體元件的制造方法，包括：

于基底上交替形成多個第一層與至少一第二層；

于所述第一層與所述第二層中形成多個開口；以及

移除所述開口的側壁上的部分所述第一層，使所述開口形成為具有凹凸輪廓的側壁。

6.根據權利要求5所述的半導體元件的制造方法，其中于所述第一層與所述第二層中形成所述開口的方法包括等離子體刻蝕法，使用的一射頻功率為300瓦～5000瓦，使用的氣體包括碳數為1～5的全氟烴、碳數為1～2的氟代烴、O₂、Ar、N₂的混合氣體。

7.根據權利要求6所述的半導體元件的制造方法，其中移除所述開口的側壁上的部分所述第一層，使所述開口形成為具有凹凸輪廓的側壁的步驟所使用的方法、氣體與形成所述開口的步驟所使用的方法、氣體相同，但降低所述射頻功率，并將O₂的流量增加為1.5倍～3倍。

8.根據權利要求5所述的半導體元件的制造方法，其中移除所述開口的側壁上的部分所述第一層的方法包括等向性刻蝕，所述第一層對所述第二層的刻蝕選擇比為1.5∶1～100∶1。

9.根據權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其中所述等向性刻蝕包括等離子體刻蝕法，所述等離子體刻蝕法包括使用遠程等離子體，所述遠程等離子體使用的氣體包括NF₃/NH₃/H₂或HF/H₂/NH₃氣體。

10.根據權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其中，所述等向性刻蝕包括濕法刻蝕法，所述濕法刻蝕法包括使用稀釋氫氟酸或刻蝕緩沖液。