[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410779251.4
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104460154A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 王寶強;樸相鎮(zhèn);王守坤;郭會斌;馮玉春;李梁梁;郭總杰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術領域

本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示裝置)實現(xiàn)一幀畫面顯示的基本原理是通過柵極(gate)驅動從上到下依次對每一行像素輸入一定寬度的方波進行選通，再通過源極(source)驅動每一行像素所需的信號依次從上往下輸出。目前制造這樣一種結構的顯示器件通常是柵極驅動電路和源極驅動電路通過COF(Chip?On?Film，覆晶薄膜)或COG(Chip?On?Glass，芯片直接固定在玻璃上)工藝制作在玻璃面板上的，但是當分辨率較高時，柵極驅動電路和源極驅動電路的輸出均較多，驅動電路的長度也將增大，這將不利于模組驅動電路的壓焊(Bonding)工藝。

為了克服以上問題，現(xiàn)有顯示器件的制造采用GOA(Gate?Drive?On?Array)電路的設計，相比現(xiàn)有的COF或COG工藝，其不僅節(jié)約了成本，而且可以做到面板兩邊對稱的美觀設計，同時也可省去柵極驅動電路的Bonding區(qū)域以及外圍布線空間，從而實現(xiàn)了顯示裝置窄邊框的設計，提高了顯示裝置的產(chǎn)能和良率。但是現(xiàn)有的GOA電路的設計也存在著一定的問題，GOA電路是通過信號線將其所輸出的驅動信號傳遞給與其對應的柵線的。其中，由于，柵線的數(shù)量較多，與其對應的GOA電路也是相應較多的，因此每個GOA電路均通過一根完整的信號線連接與其對應的柵線時，必然會造成各信號線之間產(chǎn)生交叉，易導致信號傳輸不良。如圖1所示，為解決該問題，信號線通常是由與柵金屬線1和源漏金屬線2電性連接組成的。具體的，在顯示器件的周邊區(qū)域Q2依次形成柵金屬線1、絕緣層、源漏金屬線、鈍化層，在柵金屬線1上方形成貫穿絕緣層和鈍化層的第一過孔10，在源漏金屬線2上方形成貫穿鈍化層的第二過孔20，最后在形成有過孔的鈍化層上方形成連接層3，以使得柵金屬線1和源漏金屬線2的電性連接，形成信號線。其中，連接層1的材料通常為氧化銦錫(ITO)，但是由于連接層1處于最外層，也就是說ITO材料是裸露的，此時在外界環(huán)境的影響下(例如潮濕環(huán)境中)，很容易造成ITO的劣化，而且由于GOA電路輸出的電流較大給像素區(qū)域Q1的柵線(當然像素區(qū)域Q1還包括像素電極7等)，很容易造成過孔處的ITO損壞。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板存在的上述問題，提供一種產(chǎn)品良率提高的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，其包括像素區(qū)域和將像素區(qū)域包圍的周邊區(qū)域，其中，在所述像素區(qū)域設有柵線，在所述周邊區(qū)域設有用于驅動柵線的柵極驅動電路，在其特征在于，所述柵極驅動電路通過形成在周邊區(qū)域的信號線與所述柵線連接；

所述信號線包括第一金屬線、第二金屬線，以及用于將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層；

所述陣列基板還包括覆蓋在所述連接層上方的保護層，所述保護層用于保護所述連接層。

本發(fā)明的陣列基板中，連接層上方設置保護層，以保護連接層受到外界環(huán)境以及通電等因素的干擾，從而提高產(chǎn)品的良率。

優(yōu)選的是，在第一屬線與第二金屬線之間設置有第一絕緣層，在第二金屬線上方設置有第二絕緣層，且在第一金屬線上方設置有至少一個貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過孔，在第二金屬線上方設置有至少一個貫穿所述第二絕緣層的第二過孔，所述連接層通過所述第一過孔和第二過孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接。

優(yōu)選的是，所述保護層與所述連接層的圖形相同。

優(yōu)選的是，在所述像素區(qū)域還設有像素電極，所述像素電極與所述周邊區(qū)域的連接層同層設置且材料相同。

優(yōu)選的是，所述柵極驅動電路包括薄膜晶體管；其中，

所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極同層設置且材料相同；

所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源、漏極同層設置且材料相同。

優(yōu)選的是，在第一金屬線上方設置有多個貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過孔，在第二金屬線上方設置有多個貫穿所述第二絕緣層的第二過孔。

進一步優(yōu)選的是，所述連接層包括多個連接條，所述保護層包括多個保護條，每個所述連接條用于通過一個所述第一過孔和一個所述第二過孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接；每個所述保護條覆蓋一個所述連接條。

優(yōu)選的是，所述保護層的材料為金屬。

進一步優(yōu)選的是，所述金屬為：鉬、鋁、鈦中任意一種。

優(yōu)選的是，所述保護層的材料為含硅的氮化物。