[發(fā)明專利]整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410778230.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105762138B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡承樺;鐘世忠;李靜觀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L23/528
• 分類號(hào): H01L23/528;H01L23/488
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

中介層結(jié)構(gòu)，其中該中介層結(jié)構(gòu)包括第一金屬層、第二金屬層、位于該第一、第二金屬層之間的絕緣支撐層，且該中介層結(jié)構(gòu)包括至少一第一電鍍通孔結(jié)構(gòu)，貫穿該第一金屬層、該絕緣支撐層以及該第二金屬層，并電連接該第一金屬層以及該第二金屬層；

至少一芯片，連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，其中該芯片具有有源面以及位于該有源面上的接觸墊；以及

基板，連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，其中該基板至少包括一絕緣層與位于絕緣層上的第三金屬層，該第三金屬層位于該基板朝向該中介層結(jié)構(gòu)的一側(cè)；該中介層結(jié)構(gòu)的該第一金屬層至少包括一天線圖案，該天線圖案位于該芯片的上方或下方，該芯片通過(guò)該中介層結(jié)構(gòu)的該第一電鍍通孔結(jié)構(gòu)電連接該天線圖案，并且該芯片與該基板通過(guò)該第二金屬層以及位于該第二金屬層與該第三金屬層之間的凸塊達(dá)到電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板具有下凹式晶穴，該芯片內(nèi)埋于該下凹式晶穴而該芯片的該有源面朝向該中介層結(jié)構(gòu)的該第二金屬層，該芯片通過(guò)位于該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，并且該芯片通過(guò)該凸塊以及該第一電鍍通孔結(jié)構(gòu)電連接該天線圖案。

3.如權(quán)利要求1所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板具有開(kāi)口，露出該芯片，該芯片的該有源面朝向該中介層結(jié)構(gòu)的該第二金屬層，該芯片通過(guò)位于該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，并且該芯片通過(guò)該凸塊以及該第一電鍍通孔結(jié)構(gòu)電連接該天線圖案。

4.如權(quán)利要求2所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)的該基板還包括第四金屬層與第二電鍍通孔結(jié)構(gòu)，該第四金屬層位于該絕緣層相對(duì)于該第三金屬層的另一面，該第二電鍍通孔結(jié)構(gòu)貫穿該基板而連接該絕緣層兩側(cè)的該第三金屬層與該第四金屬層。

5.如權(quán)利要求3所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)的該基板還包括第四金屬層與第二電鍍通孔結(jié)構(gòu)，該第四金屬層位于該絕緣層相對(duì)于該第三金屬層的另一面，該第二電鍍通孔結(jié)構(gòu)貫穿該基板而連接該絕緣層兩側(cè)的該第三金屬層與該第四金屬層。

6.如權(quán)利要求4所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括另一基板連結(jié)至該基板，該另一基板包括置于該基板與該另一基板之間的焊球，該另一基板通過(guò)該焊球使該基板與該另一基板物理性連結(jié)且電性相連。

7.如權(quán)利要求5所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括另一基板連結(jié)至該基板，該另一基板包括置于該基板與該另一基板之間的焊球，該另一基板通過(guò)該焊球使該基板與該另一基板物理性連結(jié)且電性相連。

8.如權(quán)利要求2所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括另一中介層結(jié)構(gòu)與多個(gè)凸塊，該另一中介層結(jié)構(gòu)包括至少一第三電鍍通孔結(jié)構(gòu)貫穿該另一中介層結(jié)構(gòu)，該另一中介層結(jié)構(gòu)位于該芯片與該中介層結(jié)構(gòu)之間，且該芯片通過(guò)該些凸塊連結(jié)至該另一中介層結(jié)構(gòu)，該另一中介層結(jié)構(gòu)再通過(guò)該些凸塊連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，通過(guò)該些凸塊與該第一、第三電鍍通孔結(jié)構(gòu)使該芯片、該中介層結(jié)構(gòu)與該另一中介層結(jié)構(gòu)物理性連結(jié)且電性相連。

9.如權(quán)利要求3所述的整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該整合式毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括另一中介層結(jié)構(gòu)與多個(gè)凸塊，該另一中介層結(jié)構(gòu)包括至少一第三電鍍通孔結(jié)構(gòu)貫穿該另一中介層結(jié)構(gòu)，該另一中介層結(jié)構(gòu)位于該芯片與該中介層結(jié)構(gòu)之間，且該芯片通過(guò)該些凸塊連結(jié)至該另一中介層結(jié)構(gòu)，該另一中介層結(jié)構(gòu)再通過(guò)該些凸塊連結(jié)至該中介層結(jié)構(gòu)，通過(guò)該些凸塊與該第一、第三電鍍通孔結(jié)構(gòu)使該芯片、該中介層結(jié)構(gòu)與該另一中介層結(jié)構(gòu)物理性連結(jié)且電性相連。