[發明專利]常壓下提拉法生長大尺寸氧化鎵單晶的方法有效
| 申請號： | 201410778168.5 | 申請日： | 2014-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN104372408B | 公開（公告）日： | 2017-03-22 |
| 發明（設計）人： | 賈志泰;穆文祥;陶緒堂 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B15/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓下 提拉法 生長 尺寸 氧化 鎵單晶 方法 | ||
【說明書】：
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