[發明專利]一種GaN基LED外延結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201410777943.5
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104393130A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種GaN基LED外延結構，其特征在于，所述GaN基LED外延結構依次包括：

襯底；

位于襯底上的GaN成核層；

位于GaN成核層上的超晶格緩沖層，所述超晶格緩沖層為由若干對AlGaN緩沖層/AlN緩沖層/GaN緩沖層交替堆疊組成的超晶格結構；

位于超晶格緩沖層上的非摻雜GaN層；

位于非摻雜GaN層上的N型GaN層；

位于N型GaN層上的多量子阱發光層；

位于多量子阱發光層上方的P型GaN層。

2.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述超晶格緩沖層為由2～10對AlGaN緩沖層/AlN緩沖層/GaN緩沖層交替堆疊組成的超晶格結構。

3.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述超晶格緩沖層的總厚度為10nm～40nm。

4.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述超晶格緩沖層中，AlGaN緩沖層的總厚度為5nm～25nm，AlN緩沖層的總厚度為1nm～5nm，GaN緩沖層的總厚度為2nm～15nm。

5.根據權利要求4所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述AlGaN緩沖層中的Al組份含量為10％-50％。

6.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述P型GaN層上方還包括P型GaN接觸層。

7.一種GaN基LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

S1、提供一襯底；

S2、在襯底上生長GaN成核層；

S3、在GaN成核層上生長超晶格緩沖層，所述超晶格緩沖層為由若干對AlGaN緩沖層/AlN緩沖層/GaN緩沖層交替堆疊組成的超晶格結構；

S4、在超晶格緩沖層上生長非摻雜GaN層；

S5、在非摻雜GaN層上生長N型GaN層；

S6、在N型GaN層上生長多量子阱發光層；

S7、在多量子阱發光層上生長P型GaN層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中AlGaN緩沖層和AlN緩沖層的生長溫度為500℃～800℃。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中GaN緩沖層的生長溫度比AlGaN緩沖層和AlN緩沖層的生長溫度高10℃～30℃。