[發(fā)明專利]一種滲B半導(dǎo)體加熱溫度可調(diào)環(huán)境參數(shù)集成傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410777315.7
• 申請(qǐng)日: 2014-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN104390667B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施云波;蘭云萍;馮僑華;趙文杰;王欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01D21/02
• 分類號(hào): G01D21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種滲B半導(dǎo)體加熱溫度可調(diào)的環(huán)境參數(shù)集成傳感器，其特征在于：它是由硅基底（1）、二氧化硅絕緣層（2）、滲B半導(dǎo)體加熱體（3）、滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）、半導(dǎo)體加熱電極（6）、氧化鋁絕緣層（7）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元（8）、環(huán)境溫濕度傳感器（9）、加熱體溫度傳感器單元（10）、連接線（11）和凹槽（12）組成，其結(jié)構(gòu)特征在于通過以下幾個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一：準(zhǔn)備晶向?yàn)椋?00），規(guī)格為?8000×8000×（200~300）（μm³）的硅片作為基底（1），清潔基底（1）的表面；

步驟二：用氫氟酸清洗掉硅上表面已被氧化生成的二氧化硅，然后在硅的上表面通過干氧-濕氧-干氧交替氧化的方法，生長(zhǎng)一層致密的二氧化硅絕緣層（2），尺寸為8000×8000×（2~5）（μm³）；

步驟三：在二氧化硅絕緣層（2）上通過光刻和等離子體技術(shù)，形成邊長(zhǎng)為2000（μm）的正八邊形滲B形成半導(dǎo)體加熱體（3-1），再通過“退火”氧化方式形成一層薄薄的半導(dǎo)體加熱體氧化層（3-2）；

步驟四：上述步驟完成后，通過磁控濺射技術(shù)，在二氧化硅絕緣層（2）、滲B半導(dǎo)體加熱體（3）上濺射生成滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）、半導(dǎo)體加熱電極（6），厚度均等，為2~4（μm），并露出滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）；

步驟五：在通過上述步驟形成的整個(gè)結(jié)構(gòu)中，再通過磁控濺射技術(shù)，濺射一層鋁，經(jīng)氧化后形成一層厚度為5~6（μm）氧化鋁絕緣層（7），并露出滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）和環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）；

步驟六：氧化鋁絕緣層（7）上，再次采用磁控濺射技術(shù)，在滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）和環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）上生成對(duì)應(yīng)大小的厚度5~6（μm）的滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）和環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5），再濺射生成厚度為2~4（μm）的滲B半導(dǎo)體加熱體焊盤（4）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元焊盤（5）、環(huán)境參數(shù)傳感器單元（8）、環(huán)境溫濕度傳感器（9）、加熱溫度傳感器單元（10）和連接線（11）；

步驟七：整體結(jié)構(gòu)形成后，分別用鹽酸、HF酸和EPW腐蝕劑對(duì)氧化鋁絕緣層（7）、二氧化硅絕緣層（2）和硅基底（1）從正面對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕，再用EPW腐蝕劑從背面對(duì)硅基底（1）進(jìn)行腐蝕，形成凹槽（12），最終生成一種滲B半導(dǎo)體加熱溫度可調(diào)的環(huán)境參數(shù)集成傳感器。