[發(fā)明專利]一種銻化鎵單晶生長的平面結(jié)晶界面控制結(jié)構(gòu)及使用方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410774902.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104404615A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李璐杰;陳馨;張穎武;練小正;司華青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B11/00 | 分類號(hào): | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司: | 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 12105 | 代理人: | 王鳳英 |
| 地址: | 300220*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銻化鎵單晶 生長 平面 結(jié)晶 界面 控制 結(jié)構(gòu) 使用方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及單晶制備技術(shù),尤其涉及一種銻化鎵單晶生長的平面結(jié)晶界面控制結(jié)構(gòu)及使用方法。
背景技術(shù)
垂直溫度梯度法(vertical?gradient?freeze,VGF)是一種生長II-VI族及III-V族低位錯(cuò)化合物半導(dǎo)體單晶的常用方法。在VGF法晶體生長過程中,裝有多晶料的坩堝和爐膛的相對(duì)位置固定不變,通過控制爐膛溫場實(shí)現(xiàn)多晶料的熔化,并控制多個(gè)加熱溫區(qū)的溫場沿著一維軸向方向進(jìn)行順序降溫,對(duì)熔體進(jìn)行定向冷卻,實(shí)現(xiàn)定向結(jié)晶。大量的理論及實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,平面結(jié)晶界面是最理想的生長界面,通過一定的技術(shù)獲得平面結(jié)晶界面有利于獲得無偏析晶體;此外,相比凹面或凸面生長界面,平面結(jié)晶界面可獲得最小的熱應(yīng)力場,是生長低缺陷密度單晶的關(guān)鍵。
結(jié)晶界面的宏觀形貌主要取決于界面附近的熱流條件(散熱條件)。在目前使用的晶體生長裝置中的放肩部位,坩堝與坩堝托之間難以實(shí)現(xiàn)理想、均勻的完全貼合狀況(如圖1所示)。當(dāng)兩者形成接觸時(shí),熱傳導(dǎo)散熱將產(chǎn)生局部過冷的溫場,因此坩堝與坩堝托之間的不良或不均勻貼合狀態(tài)將對(duì)固液界面形狀產(chǎn)生非常不利的影響。即,放肩部位側(cè)壁局部過冷將導(dǎo)致凹面結(jié)晶界面,增加多晶成核幾率并產(chǎn)生位錯(cuò)增殖。因此,如何設(shè)計(jì)坩堝與坩堝托之間的支撐結(jié)構(gòu)來控制平面結(jié)晶界面是當(dāng)前急于研發(fā)的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和缺陷,本發(fā)明提供一種銻化鎵單晶生長的平面結(jié)晶界面控制結(jié)構(gòu)及使用方法。采用該控制結(jié)構(gòu),在VGF單晶生長技術(shù)中,避免了坩堝與坩堝托之間的支撐結(jié)構(gòu)對(duì)熱場及固液界面的不利影響,該控制結(jié)構(gòu)用于優(yōu)化熱場分布,控制平面結(jié)晶界面的產(chǎn)生。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種銻化鎵單晶生長的平面結(jié)晶界面控制結(jié)構(gòu),其特征在于,該控制結(jié)構(gòu)包括石英安瓿瓶、石英坩堝、石墨錠、石墨塞和金屬Ga錠,所述的石英坩堝為籽晶井端開口的石英坩堝,石墨塞為T型圓柱石墨塞,石墨塞放置于石英坩堝的籽晶井端口,用于封堵籽晶井端口,避免籽晶滑落;所述的金屬Ga錠置于石英安瓿瓶底部,石英安瓿瓶倒扣在石英坩堝上,石英安瓿瓶中的金屬Ga錠與石墨塞接觸;石英安瓿瓶與石英坩堝的放肩部位留有縫隙;所述的石墨錠水平推入石英安瓿瓶,使石墨錠前端與石英坩堝結(jié)合。
本發(fā)明所述的一種銻化鎵單晶生長的平面結(jié)晶界面控制結(jié)構(gòu)的使用方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1).將預(yù)先燒制的銻化鎵圓柱形多晶錠垂直放于支撐臺(tái)上,在銻化鎵多晶錠頂端放置一定量的鹵鹽液封劑;
(2).將石英坩堝大口朝下,套于銻化鎵多晶錠上,石英坩堝放肩部位與銻化鎵多晶錠接觸作為著力點(diǎn);
(3).將預(yù)先準(zhǔn)備好的銻化鎵籽晶從石英坩堝的籽晶井尾部端口進(jìn)入籽晶井中;
(4).在石英坩堝的籽晶井端口放置T型圓柱石墨塞,使其小直徑一端進(jìn)入籽晶井且緊密接觸;
(5).將預(yù)先底部凝固有金屬Ga錠的石英安瓿瓶倒扣于石英坩堝上,此時(shí),石英坩堝一端的T型圓柱石墨塞與石英安瓿瓶底部的金屬Ga錠接觸作為著力點(diǎn);
(6).一手握住石英安瓿瓶,一手握住所述的支撐臺(tái),將整個(gè)控制系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)90度,即此時(shí)控制系統(tǒng)水平放置;
(7).將石墨錠小直徑一端面向坩堝,水平推入石英安瓿瓶,輕微搖晃石英安瓿瓶,使石墨錠與石英坩堝口結(jié)合;
(8).抽真空、熔封石英安瓿瓶。
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