[發(fā)明專利]基于T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統(tǒng)電路實(shí)現(xiàn)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410772403.8 | 申請日: | 2014-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN104468084A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李敏 | 申請(專利權(quán))人: | 李敏 |
| 主分類號: | H04L9/00 | 分類號: | H04L9/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 256603 山東省濱州*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 分?jǐn)?shù) 積分電路 模塊 0.8 混沌 系統(tǒng) 電路 實(shí)現(xiàn) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊及其0.8階混沌系統(tǒng)電路實(shí)現(xiàn),特別涉及一個(gè)基于T型結(jié)構(gòu)的通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統(tǒng)及模擬電路實(shí)現(xiàn)。
背景技術(shù)
因?yàn)閷?shí)現(xiàn)分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)的電路的電阻和電容都是非常規(guī)電阻和電容,一般采用電阻串聯(lián)和電容并聯(lián)的方法實(shí)現(xiàn),目前,實(shí)現(xiàn)的主要方法是利用現(xiàn)有的電阻和電容在面包板上組合的方法,這種方法可靠性和穩(wěn)定性比較低,并且存在容易出錯(cuò),出錯(cuò)后不易查找等問題,本發(fā)明為克服這個(gè)問題,采用T型結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)制作了PCB電路,整個(gè)電路模塊電路由六部分組成,第一部分由四個(gè)電阻和一個(gè)電位器串聯(lián)后,與四個(gè)電容并聯(lián)組成,后面五部分均由四個(gè)電阻和一個(gè)電位器串聯(lián)后,與四個(gè)電容并聯(lián)部分相串聯(lián)組成,0.8階分?jǐn)?shù)階積分電路由前五部分組成,第六部分懸空,采用這種方法的實(shí)現(xiàn)0.8階分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)電路,可靠性高,不易出錯(cuò)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基于T型結(jié)構(gòu)的分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統(tǒng)及模擬電路實(shí)現(xiàn),本發(fā)明采用如下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的:
1、一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊,其特征是在于:電阻Rx與電容Cx并聯(lián),形成第一部分,電阻Ry與電容Cy串聯(lián),形成第二部分,電阻Rz與電容Cz串聯(lián),形成第三部分,電阻Rw與電容Cw串聯(lián),形成第四部分,電阻Ru與電容Cu串聯(lián),形成第五部分,電阻Rv與電容Cv串聯(lián),形成第六部分,第一部分與后面五部分為并聯(lián)連接。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊,其特征在于:所述電阻Rx由電位器Rx1和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯(lián)組成,所述電容Cx由電容Cx1、Cx2、Cx3、Cx4并聯(lián)組成;所述電阻Ry由電位器Ry1和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成,所述電容Cy由電容Cy1、Cy2、Cy3、Cy4,并聯(lián)組成;所述電阻Rz由電位器Rz1和電阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串聯(lián)組成,所述電容Cz由電容Cz1、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成;所述電阻Rw由電位器Rw1和電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成,所述電容Cw由電容Cw1、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成;所述電阻Ru由電位器Ru1和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成,所述電容Cu由電容Cu1、Cu2、Cu3、Cu4并聯(lián)組成;所述電阻Rv由電位器Rv1和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯(lián)組成,所述電容Cv由電容Cv1、Cv2、Cv3、Cv4并聯(lián)組成。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊,所述0.8階積分電路模塊,其特征在于:所述電阻Rx=39.80M,所述電位器Rx1=0K,所述電阻Rx2=22M、Rx3=15M、Rx4=2.7M、Rx5=100K,所述電容Cx=0.1884uF,所述電容Cx1=150nF、Cx2=33nF、Cx3=3.3nF、Cx4=2.2nF;所述電阻Ry=9.839M,所述電位器Ry1=0K,所述電阻Ry2=9.1M、Ry3=680K、Ry4=56K、Ry5=3K,所述電容Cy=0.7619uF,所述電容Cy1=680nF、Cy2=47nF、Cy3=33nF、Cy4=2.2nF;所述電阻Rz=0.933M,所述電位器Rz1=0K和所述電阻Rz2=910K、Rz3=20K、Rz4=3K、Rz5=0K,所述電容Cz=0.4520uF,所述電容Cz1=330nF、Cz2=100nF、Cz3=22nF、Cz4懸空;所述電阻Rw=0.09319M,所述電位器Rw1=2.19K,所述電阻Rw2=91K、Rw3=0K、Rw4=00K、Rw5=0K,所述電容Cw=0.2545uF,所述電容Cw1=220nF、Cw2=33nF、Cw3=1nF、Cw4懸空;所述電阻Ru=0.009555M,所述電位器Ru1=0.455K,所述電阻Ru2=9.1K、Ru3=0K、Ru4=020K、Ru5=0K,所述電容Cu=0.1396uF,所述電容Cu1=100nF、Cu2=33nF、Cu3=6.8nF、Cu4懸空;所述電阻Rv懸空,所述電容Cv懸空。
4、基于T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統(tǒng)電路,其特征在于:
(1)含x方Lü混沌系統(tǒng)i為:
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