[發明專利]基于T型分數階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統電路實現

有效

• 申請號: 201410772403.8
• 申請日: 2014-12-14
• 公開（公告）號: CN104468084A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 李敏
• 申請（專利權）人: 李敏
• 主分類號: H04L9/00
• 分類號: H04L9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種通用分數階積分電路模塊及其0.8階混沌系統電路實現，特別涉及一個基于T型結構的通用分數階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統及模擬電路實現。

背景技術

因為實現分數階混沌系統的電路的電阻和電容都是非常規電阻和電容，一般采用電阻串聯和電容并聯的方法實現，目前，實現的主要方法是利用現有的電阻和電容在面包板上組合的方法，這種方法可靠性和穩定性比較低，并且存在容易出錯，出錯后不易查找等問題，本發明為克服這個問題，采用T型結構，設計制作了PCB電路，整個電路模塊電路由六部分組成，第一部分由四個電阻和一個電位器串聯后，與四個電容并聯組成，后面五部分均由四個電阻和一個電位器串聯后，與四個電容并聯部分相串聯組成，0.8階分數階積分電路由前五部分組成，第六部分懸空，采用這種方法的實現0.8階分數階混沌系統電路，可靠性高，不易出錯。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種基于T型結構的分數階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統及模擬電路實現，本發明采用如下技術手段實現發明目的：

1、一種T型通用分數階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯，形成第一部分，電阻Ry與電容Cy串聯，形成第二部分，電阻Rz與電容Cz串聯，形成第三部分，電阻Rw與電容Cw串聯，形成第四部分，電阻Ru與電容Cu串聯，形成第五部分，電阻Rv與電容Cv串聯，形成第六部分，第一部分與后面五部分為并聯連接。

2、根據權利要求1所述一種T型通用分數階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx由電位器Rx1和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯組成，所述電容Cx由電容Cx1、Cx2、Cx3、Cx4并聯組成；所述電阻Ry由電位器Ry1和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯組成，所述電容Cy由電容Cy1、Cy2、Cy3、Cy4，并聯組成；所述電阻Rz由電位器Rz1和電阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串聯組成，所述電容Cz由電容Cz1、Cz2、Cz3、Cz4并聯組成；所述電阻Rw由電位器Rw1和電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯組成，所述電容Cw由電容Cw1、Cw2、Cw3、Cw4并聯組成；所述電阻Ru由電位器Ru1和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯組成，所述電容Cu由電容Cu1、Cu2、Cu3、Cu4并聯組成；所述電阻Rv由電位器Rv1和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯組成，所述電容Cv由電容Cv1、Cv2、Cv3、Cv4并聯組成。

3、根據權利要求1所述一種T型通用分數階積分電路模塊，所述0.8階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx＝39.80M，所述電位器Rx1＝0K，所述電阻Rx2＝22M、Rx3＝15M、Rx4＝2.7M、Rx5＝100K，所述電容Cx＝0.1884uF，所述電容Cx1＝150nF、Cx2＝33nF、Cx3＝3.3nF、Cx4＝2.2nF；所述電阻Ry＝9.839M，所述電位器Ry1＝0K,所述電阻Ry2＝9.1M、Ry3＝680K、Ry4＝56K、Ry5＝3K，所述電容Cy＝0.7619uF，所述電容Cy1＝680nF、Cy2＝47nF、Cy3＝33nF、Cy4＝2.2nF；所述電阻Rz＝0.933M，所述電位器Rz1＝0K和所述電阻Rz2＝910K、Rz3＝20K、Rz4＝3K、Rz5＝0K，所述電容Cz＝0.4520uF，所述電容Cz1＝330nF、Cz2＝100nF、Cz3＝22nF、Cz4懸空；所述電阻Rw＝0.09319M，所述電位器Rw1＝2.19K，所述電阻Rw2＝91K、Rw3＝0K、Rw4＝00K、Rw5＝0K，所述電容Cw＝0.2545uF，所述電容Cw1＝220nF、Cw2＝33nF、Cw3＝1nF、Cw4懸空；所述電阻Ru＝0.009555M，所述電位器Ru1＝0.455K，所述電阻Ru2＝9.1K、Ru3＝0K、Ru4＝020K、Ru5＝0K，所述電容Cu＝0.1396uF，所述電容Cu1＝100nF、Cu2＝33nF、Cu3＝6.8nF、Cu4懸空；所述電阻Rv懸空，所述電容Cv懸空。

4、基于T型分數階積分電路模塊的0.8階含x方Lü混沌系統電路，其特征在于：

(1)含x方Lü混沌系統i為：