[發明專利]濺射靶及其制造方法

在審

• 申請號: 201410771674.1
• 申請日: 2014-12-12
• 公開（公告）號: CN104711525A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 館野諭
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B32B15/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種濺射靶，其為陶瓷制燒結體與支撐體接合而得到的濺射靶，其特征在于，

陶瓷制燒結體的支撐體側的表面粗糙度Ra為0.5μm以上且4.0μm以下，

在該表面上具有包含銅或者含有80原子％以上銅的銅合金的打底層，

所述濺射靶具有將支撐體與打底層通過銦或者含有80原子％以上銦的銦合金層接合而形成的層疊結構。

2.一種濺射靶，其為陶瓷制燒結體與支撐體接合而得到的濺射靶，其特征在于，

陶瓷制燒結體的支撐體側的表面粗糙度Ra為0.5μm以上且4.0μm以下，

在該表面上形成有包含銅或者含有80原子％以上銅的銅合金的第一層、以及在第一層上包含銦或者含有80原子％以上銦的銦合金的第二層，

所述濺射靶具有將支撐體與第二層通過銦或者含有80原子％以上銦的銦合金的接合材料接合而形成的層疊結構。

3.如權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，支撐體和陶瓷制燒結體為平板。

4.如權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，支撐體為棒狀或者圓筒狀，并且所述陶瓷制燒結體為圓筒狀。

5.如權利要求1～4中任一項所述的濺射靶，其特征在于，燒結體的支撐體側的表面還具有0.1μm以上且1μm以下的微細溝。

6.如權利要求2～5中任一項所述的濺射靶，其特征在于，第一層以5～20μm的厚度形成，第二層以5～10μm的厚度形成。

7.如權利要求1～6中任一項所述的濺射靶，其特征在于，燒結體為ITO、IZO或IGZO的陶瓷制燒結體。

8.如權利要求1～7中任一項所述的濺射靶，其特征在于，支撐體為無氧銅、銅合金、Ti(包括合金)或SUS。

9.如權利要求2～8中任一項所述的濺射靶，其特征在于，第一層與燒結體之間的剝離強度在170～200℃的加熱處理后為10MPa以上。

10.一種濺射靶的制造方法，其為制造陶瓷制燒結體與支撐體接合而得到的濺射靶的方法，其特征在于，

將陶瓷制燒結體的支撐體側的表面粗糙度Ra調節為0.5μm以上且4.0μm以下，在該表面上形成包含銅或者含有80原子％以上銅的銅合金的打底層，并將支撐體與打底層通過銦或者含有80原子％以上銦的銦合金層接合，由此形成層疊結構。

11.一種濺射靶的制造方法，其為制造陶瓷制燒結體與支撐體接合而得到的濺射靶的方法，其特征在于，

將陶瓷制燒結體的支撐體側的表面粗糙度Ra調節為0.5μm以上且4.0μm以下，在該表面上形成包含銅或者含有80原子％以上銅的銅合金的第一層，然后在第一層上形成包含銦或者含有80原子％以上銦的銦合金的第二層，并將支撐體與第二層通過銦或者含有80原子％以上銦的銦合金的接合材料接合。

12.如權利要求10或11所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，支撐體和陶瓷制燒結體為平板。

13.如權利要求10或11所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，支撐體為棒狀或者圓筒狀，并且所述陶瓷制燒結體為圓筒狀。

14.如權利要求10～13中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過對燒結體的支撐體側的表面進行電解粗化，在燒結體的支撐體側的表面上形成0.1μm以上且1μm以下的微細溝。

15.如權利要求11～13中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過鍍敷，以5～20μm的厚度形成第一層，以5～10μm的厚度形成第二層。

16.如權利要求10～15中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，作為燒結體，使用ITO、IZO或IGZO的陶瓷制燒結體。

17.如權利要求10～16中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，作為支撐體，使用無氧銅、銅合金、Ti(包括合金)或SUS。

18.如權利要求11～14中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，將第一層與燒結體之間的剝離強度調節為在170～200℃的加熱處理后為10MPa以上。