[發明專利]一種用于調節硅片制絨槽內減薄量均勻性的系統在審
| 申請號: | 201410771098.0 | 申請日: | 2014-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN104465878A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 陳波;崔紅星;張文鋒;胡應全;林海峰 | 申請(專利權)人: | 東方日升新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67;C30B33/10 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 調節 硅片 制絨槽內減薄量 均勻 系統 | ||
技術領域
本發明屬于晶體硅太陽能電池制造領域,尤其是一種用于調節硅片制絨槽內減薄量均勻性的系統。
背景技術
隨著太陽能電池生產技術的不斷提升,對于太陽能電池產品的質量以及成本提出了新的要求。制絨工藝是太陽能電池整個工藝生產線中最為重要的一環,其目的是為了去除切割后硅片的表面損傷層,同時通過化學腐蝕的方法在硅片表面進行織構化處理,形成良好的陷光效應,從而降低硅片表面反射率,提高短路電流,最終提高電池的光電轉換效率。目前,對于鏈式多晶硅的制絨一般都是利用硝酸的強氧化性與氫氟酸的絡合性,對硅片進行氧化和絡合剝離,導致硅片表面發生各向同性非均勻性腐蝕,形成蜂窩狀絨面,從而增加入射光的反射次數,有效增強了入射太陽光的利用率,提高了光生電流密度。目前,鏈式多晶硅的制絨設備主要采用多個反應道同時進行的制絨槽,其缺點在于:由于硝酸、氫氟酸與硅片反應時放出大量熱量,導致制絨槽中心的反應道溫度高于其他區域,而硅片與酸的反應速率與溫度成正比關系,溫度分布不均勻會造成各反應道減薄量的不均勻,不均勻減薄會造成不同的比表面積,PE端相同的沉積速率下,不同的比表面積生產不一致的膜厚,最終造成顏色分布離散,影響成品率。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于調節硅片制絨槽內減薄量均勻性的系統,使硅片在正常制絨過程中,各個反應道內的溫度分布均勻,確保各個反應道內的硅片減薄量的均勻性,提高硅片成品率。
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案:一種用于調節硅片制絨槽內減薄量均勻性的系統,包括制絨槽,所述制絨槽內設有反應道,所述反應道內由上往下依次設有位于制絨槽內藥液液位下方的壓輪與滾輪,硅片在滾輪和壓輪之間移動并進行制絨;還包括一儲液槽,所述儲液槽通過一輸液管將儲液槽內的藥液輸送到所述制絨槽內,位于所述制絨槽內的輸液管上設有若干第一噴孔,所述制絨槽通過溢流管以及回流管將所述制絨槽內的藥液輸送到儲液槽內,所述儲液槽內的藥液通過熱交換毛細管與一冰機形成熱交換,所述反應道至少有三個,位于制絨槽兩端的反應道之間的其他每條反應道上各設有一噴淋裝置。
噴淋裝置的一種設置方式,所述噴淋裝置包括與所述儲液槽相連通的噴淋管道,位于反應道上方的噴淋管道上設有若干第二噴孔,所述第二噴孔位于所述制絨槽內的藥液液位上方。
進一步,控制噴淋裝置中低溫藥液的流量,所述噴淋管道上還設有第一調節閥。
進一步,所述噴淋管道通過第一泵浦與所述儲液槽相連接,第一泵浦為噴淋管道提供所述儲液槽內的低溫藥液提供動力。
進一步,所述輸液管上設有第二泵浦,所述第二泵浦為輸液管提供所述儲液槽內的低溫藥液提供動力。
進一步,所述輸液管上的若干第一噴孔位于所述滾輪下方。
進一步,所述熱交換毛細管位于所述儲液槽內的藥液液位下方,熱交換效率高。
進一步,所述輸液管上設有第二調節閥,用于調節通過輸液管噴射的藥液噴射流量。
儲液槽內的藥液通過熱交換毛細管與冰機形成熱交換,降低儲液槽內的藥液溫度從而形成低溫藥液,硅片與酸在反應過程中,釋放出大量熱量,提高了制絨槽藥液的溫度從而形成高溫藥液,為了使制絨槽的各個反應道的溫度均勻,通過輸液管以及噴淋管道將儲液槽內的低溫藥液噴射到反應道上,由于輸液管位于滾輪下方,噴淋管道位于制絨槽的藥液液位上方,可以有效的降低中間的每條反應道的溫度,使制絨槽的溫度更均勻。
本發明與現有技術相比,具有如下有益效果:1、通過噴淋管道與輸液管的噴射低溫藥液,有利于降低制絨槽內中間的反應道的溫度,從而使制絨槽內的溫度均勻,使在制絨槽內進行制絨過程中的硅片減薄量均勻,顏色分布均勻,成品率高;2、整個系統簡單,操作方便,成本低;3、在系統內安裝有第一調節閥與第二調節閥,流量的控制更加可靠,成品率更佳。
附圖說明
圖1是實施例1中系統的結構側視圖。
圖2是實施例1中系統的俯視圖。
圖3是實施例2中系統的俯視圖。
圖4是實施例3中系統的俯視圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。
實施例1:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





