[發明專利]一種具有抗輻照性能的VDMOS器件制造方法有效
| 申請號： | 201410770922.0 | 申請日： | 2014-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN104576398B | 公開（公告）日： | 2018-04-10 |
| 發明（設計）人： | 趙元富;張文敏;王傳敏 | 申請（專利權）人： | 北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心11009 | 代理人： | 臧春喜 |
| 地址： | 100076 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 輻照 性能 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有抗輻照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)選取硅外延片，通過光刻刻蝕技術在硅外延片的正面形成有源區及終端環；
(2)在步驟(1)的有源區通過熱氧化形成一層二氧化硅柵氧化層；
(3)在步驟(2)的柵氧化層上蒸發一層金屬鋁；
(4)把經過步驟(3)處理后的硅片放置在高溫擴散爐中，使金屬鋁擴散到二氧化硅柵氧化層中；
(5)在摻雜鋁的二氧化硅柵氧化層上淀積一層多晶硅，通過光刻刻蝕形成多晶硅柵；
(6)通過硼注入及擴散工藝形成p-body區及P+區，通過磷注入及擴散工藝形成源區；
(7)在經過步驟(6)處理后的硅片上淀積二氧化硅介質層，刻蝕二氧化硅形成接觸孔，然后進行正面金屬化、鈍化、刻蝕PAD區、減薄，最后進行背面金屬化工藝，完成VDMOS器件制造。
2.根據權利要求1所述的一種具有抗輻照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步驟(2)中二氧化硅柵氧化層的厚度為
3.根據權利要求1所述的一種具有抗輻照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步驟(3)中金屬鋁的厚度為
4.根據權利要求1所述的一種具有抗輻照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步驟(4)中高溫擴散爐的溫度為800—1300℃，擴散時間為10—300min。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所，未經北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410770922.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
