[發明專利]窄發散角脊波導半導體激光器

有效

• 申請號: 201410770523.4
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104466675B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 車相輝;趙潤;曹晨濤;陳宏泰;寧吉豐;張宇;位永平;郝文嘉;王彥照;林琳;楊紅偉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所13120
• 代理人: 米文智

1.一種窄發散角脊波導半導體激光器，包括襯底層（1）、在襯底層（1）上由下至上依次設有的緩沖層（2）、N型限制層（4）、下限制層（5）、下波導層（6）、多量子阱區（7）、上波導層（8）、上限制層（9）、腐蝕阻擋層（10）、P型限制層（11）和電極接觸層（12）；其特征在于在緩沖層（2）和N型限制層（4）之間還設有擴展波導層（3），所述擴展波導層（3）為N型InGaAsP材料，擴展波導層（3）的厚度為0.2μm-0.5μm，所述下波導層（6）的厚度為0.05μm-0.15μm，上波導層（8）的厚度為0.05μm-0.15μm，擴展波導層（3）到多量子阱區（7）的距離為1μm-2μm；所述P型限制層（11）和電極接觸層（12）設置在腐蝕阻擋層（10）的縱向中部，構成脊波導；采用直徑為1.5mm-2.0mm的小球透鏡封裝。

2.根據權利要求1所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于所述擴展波導層（3）的厚度為0.3μm，下波導層（6）的厚度為0.1μm，上波導層（8）的厚度為0.1μm，擴展波導層（3）到多量子阱區（7）的距離為1.4μm。

3.根據權利要求1所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于采用直徑為1.5mm小球透鏡封裝。

4.根據權利要求3所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于所述小球透鏡封裝的折射率為1.45-1.8，有效數值孔徑為0.1-0.2。

5.根據權利要求1所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于所述下波導層（6）、多量子阱區（7）和上波導層（8）采用非摻雜的AlGaInAs材料。

6.根據權利要求1所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于所述下限制層（5）采用N型的AlGaInAs材料。

7.根據權利要求1所述的窄發散角脊波導半導體激光器，其特征在于所述脊波導的寬度為2.5μm，深度為1.8μm。