[發(fā)明專利]FINFET摻雜方法及其結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410770301.2
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN105280701A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡俊雄;呂偉元
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供襯底，所述襯底具有從所述襯底處延伸的鰭；

在所述鰭上形成原位摻雜層；以及

在所述鰭上形成所述原位摻雜層之后，在所述原位摻雜層上形成未摻雜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述鰭上形成所述原位摻雜層還包括在所述鰭上外延生長原位摻雜的阱區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述原位摻雜層上形成所述未摻雜層還包括在所述原位摻雜層上外延生長未摻雜的溝道區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述原位摻雜層的厚度介于約10nm和40nm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述未摻雜層的厚度介于約10nm和40nm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述未摻雜層的摻雜劑濃度小于約1×10¹⁷cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括：形成鄰近于所述未摻雜的溝道區(qū)并且位于所述未摻雜溝道區(qū)的兩側(cè)上的源極區(qū)和漏極區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述鰭上形成所述原位摻雜層之前，在所述襯底上方沉積介電層；以及

實(shí)施第一介電質(zhì)圖案化步驟以暴露從所述襯底延伸的第一鰭；

其中，在所述鰭上形成所述原位摻雜層還包括：在暴露的所述第一鰭上形成所述原位摻雜層；以及

在所述原位摻雜層上形成所述未摻雜層還包括：在暴露的所述第一鰭上形成的所述原位摻雜層上形成所述未摻雜層。

9.一種方法，包括：

提供襯底，所述襯底包括從所述襯底處延伸的多個(gè)鰭；

形成使所述多個(gè)鰭中的每個(gè)鰭彼此隔離的隔離區(qū)；

在所述多個(gè)鰭的第一組鰭上形成原位摻雜的N阱區(qū)；以及

在所述第一組鰭上形成所述原位摻雜的N阱區(qū)之后，在所述原位摻雜的N阱區(qū)上形成未摻雜溝道區(qū)。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，所述襯底具有鰭；

原位摻雜層，形成在所述鰭上方；

未摻雜層，形成在所述原位摻雜層上方；以及

柵疊件，形成在所述未摻雜層上方；

其中，所述原位摻雜層包括阱區(qū)；以及

所述未摻雜層包括溝道區(qū)。