[發明專利]陣列基板及制作方法、液晶顯示面板和反射式液晶顯示器有效
| 申請號: | 201410769917.8 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN104485338A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 徐傳祥;舒適;齊永蓮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李亞非;汪揚 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 液晶顯示 面板 反射 液晶顯示器 | ||
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,并且具體而言涉及一種陣列基板、制作陣列基板的方法、包括該陣列基板的液晶顯示面板以及反射式液晶顯示器。
背景技術
如圖1所示,透射式液晶顯示器通常包括透射式液晶顯示面板10,該透射式液晶顯示面板10包括背光源101和透射式液晶盒102。如圖中箭頭所示,從背光源101發射的光透射穿過透射式液晶盒102以實現顯示功能。由于背光源101通常采用有機發光二極管,亮度較低,傳統的透射式液晶顯示器在戶外顯示時的可讀性非常差。如果通過提高亮度來提升戶外可讀性,透射式液晶顯示器的功耗將增加,續航時間減小,同時伴隨有散熱問題。
如圖2所示,反射式液晶顯示器通常包括具有反射式液晶盒201的反射式液晶顯示面板20。如圖中箭頭所示,反射式液晶盒201反射來自環境的光以實現顯示功能。在反射式液晶顯示器中,環境光的亮度越高,反射光的亮度也變高,從而增加了戶外顯示時的可讀性。由于反射式液晶顯示器不需要背光源,可以大幅降低功耗,延長續航時間,并且容易實現產品輕薄化。
在現有反射式液晶顯示器中,陣列基板的制作通常包括下述步驟:柵電極層成膜并通過第一次構圖工藝形成柵電極圖案,柵極絕緣層成膜并通過第二次構圖工藝形成半導體層圖案,源/漏電極層成膜并通過第三次構圖工藝形成源/漏電極圖案,鈍化層成膜并通過第四次構圖工藝形成鈍化層,樹脂層成膜并通過第五次構圖工藝形成平坦樹脂層,像素電極層成膜并通過第六次構圖工藝形成像素電極圖案,以及金屬保護層成膜并通過第七次構圖工藝形成金屬保護層。上述制作方法中的各個構圖工藝均包括光刻膠涂覆,利用掩模進行曝光、對光刻膠顯影、對光刻膠刻蝕以及剝離光刻膠等工序。在上述制作方法中,現有反射式液晶顯示器的陣列基板一般需要七次構圖工藝。
因此,現有反射式液晶顯示器存在改進的空間,并且本領域中存在對反射式液晶顯示器進行改進的需求。
發明內容
本公開的目的在于減輕或解決前文所提到的問題。根據本公開,在反射式液晶顯示器的陣列基板中采用頂柵型設計,并且源/漏電極與像素電極同時形成,從而在確保高反射率、高開口率的前提下降低了構圖工藝的次數。
根據本公開的第一個方面,提供了一種陣列基板,包括襯底基板以及形成于襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管包括依次堆疊在所述襯底基板上的源/漏電極、有源區和柵電極,其中所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。
根據本公開,陣列基板上的薄膜晶體管采用頂柵型設計,外界光線可以被柵電極遮擋而不照射到有源區,從而避免有源區受外界光線照射而產生光電流。因而,根據本公開,彩色濾光片基板上所需要的黑矩陣的線寬可以減小,這可以提高反射式液晶顯示器的高開口率。
根據本公開,所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。像素電極形成于平坦的襯底基板上,因此具有較高的反射率,這有利于提高反射式液晶顯示器在戶外顯示時的可讀性。
相對于透射式液晶顯示器,根據本公開的反射式液晶顯示器具有其固有的優勢,即,不需要背光源,大幅降低功耗,延長續航時間,并且容易實現產品輕薄化。此外,相對于現有反射式液晶顯示器,根據本公開的反射式液晶顯示器在保證高反射率和高開口率的性能的同時,減少了構圖工藝次數,從而減少工藝步驟,提高生產節拍并且有效地控制成本。
在一實施例中,所述陣列基板還可以包括布置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的有源區保護層。根據本公開,該有源區保護層可以是無機絕緣層,從而保護后續形成的半導體材料的有源區,避免有源區與諸如玻璃的襯底基板直接接觸而形成不良界面。
在一實施例中,所述陣列基板還可以包括與所述源/漏電極同層布置的位于數據線區域中的數據線。根據本公開,所述數據線與所述源/漏電極在同一工序中形成,從而有利于簡化工藝并且降低成本。
在一實施例中,所述陣列基板還可以包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層布置在所述有源區和所述柵電極之間并且覆蓋所述有源區、源/漏電極、像素電極和數據線。根據本公開,所述柵極絕緣層覆蓋所述源/漏電極,避免所述源/漏電極和后續形成的所述柵電極之間電氣短路。此外,根據本公開,所述柵極絕緣層覆蓋所述像素電極,可以避免所述像素電極被氧化或腐蝕。
在一實施例中,所述陣列基板還可以包括與所述柵電極同層布置的位于柵線區域中的柵線。根據本公開,所述柵線與所述柵電極在同一工序中形成,從而有利于簡化工藝并且降低成本。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





