[發(fā)明專利]用于進(jìn)行氣相氮碳共滲處理的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410769150.9 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN104711509B | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B.格特納 | 申請(專利權(quán))人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | C23C8/30 | 分類號: | C23C8/30 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張曄;宣力偉 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 進(jìn)行 氣相氮碳共滲 處理 方法 | ||
1.用于對滑動摩擦副的、含鐵的機器構(gòu)件進(jìn)行氣相氮碳共滲處理的方法,其特征在于以下步驟:
以500℃到510℃的相對較低的處理溫度和相對較長的處理時間來構(gòu)造所述機器構(gòu)件的、相對較薄的并且均勻的連接層(VS)以及相對較厚的擴散層(DS),并且而后通過在570℃到580℃的相對較高的處理溫度時添加施碳物的方式來提高所述連接層(VS)的碳含量。
2.按權(quán)利要求1所述的方法,其中在構(gòu)造所述層時添加施碳物。
3.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其中在構(gòu)造所述層時供給比在未飽和的爐內(nèi)環(huán)境中多的氮氣。
4.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其中在構(gòu)造所述層時供給比在過飽和的爐內(nèi)環(huán)境中少的氮氣。
5.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其具有最終的步驟:以相對較高的處理溫度對所述連接層(VS)進(jìn)行二次氧化,其中添加施碳物。
6.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其具有前置的步驟:對溫度進(jìn)行平衡和/或形成所述連接層(VS)和/或形成過程氣體。
7.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述連接層(VS)的厚度為4μm至15μm。
8.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述擴散層(DS)的厚度至少為50μm。
9.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述機器構(gòu)件配屬于軸向活塞機。
10.按權(quán)利要求9所述的方法,其中所述機器構(gòu)件是滾筒(1)。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C8-00 金屬材料表面中僅滲入非金屬元素的固滲
C23C8-02 .被覆材料的預(yù)處理
C23C8-04 .局部表面的處理,例如使用掩蔽物的
C23C8-06 .使用氣體的
C23C8-40 .使用液體,例如鹽浴、懸浮液的
C23C8-60 .使用固體,例如粉末、膏劑的





