[發(fā)明專利]源極/漏極結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410768907.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN105280699B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宜靜;李昆穆;李啟弘;李資良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/08;H01L29/165;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極堆疊件，設(shè)置在襯底上方；

源極/漏極(S/D)部件，至少部分地嵌入在鄰近所述柵極堆疊件的所述襯底內(nèi)，所述部件包括：

第一半導(dǎo)體材料層，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層物理接觸所述襯底；

第二半導(dǎo)體材料層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體材料層上方，其中，所述第二半導(dǎo)體材料層的半導(dǎo)體材料與所述第一半導(dǎo)體材料層的半導(dǎo)體材料不同；以及

第三半導(dǎo)體材料層，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體材料層上方，其中，所述第三半導(dǎo)體材料層包括錫(Sn)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層完全地嵌入在所述襯底中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層與所述第二半導(dǎo)體材料層物理接觸，以及

其中，所述第三半導(dǎo)體材料層與所述第二半導(dǎo)體材料層物理接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中：

所述第一半導(dǎo)體材料層包括外延生長(zhǎng)的硅鍺(SiGe_x1)，其中，x₁是以原子百分比計(jì)的Ge組分；

所述第二半導(dǎo)體材料層包括選自由外延生長(zhǎng)的硅鍺(SiGe_x2)和外延生長(zhǎng)的硅鍺錫(SiGe_x3Sn_y)組成的組中的半導(dǎo)體材料，其中，x₂和x₃是以原子百分比計(jì)的Ge組分并且y是以原子百分比計(jì)的Sn組分；

所述第三半導(dǎo)體材料層包括選自由外延生長(zhǎng)的鍺錫(GeSn_z)、硅鍺錫(SiGeSn_z)、硅鍺錫硼(SiGeSn_zB)和鍺錫硼(GeSn_zB)組成的組中的半導(dǎo)體材料，其中，z是以原子百分比計(jì)的Sn組分；

所述第一半導(dǎo)體材料層的厚度在5nm至30nm的范圍內(nèi)；

所述第二半導(dǎo)體材料層的厚度在20nm至60nm的范圍內(nèi)；以及

所述第三半導(dǎo)體材料層的厚度在5nm至30nm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中：

所述第一半導(dǎo)體材料層中的x₁是常數(shù)，所述x₁在10％至30％的范圍內(nèi)；

所述第二半導(dǎo)體材料層中的x₂是常數(shù)，所述x₂在30％至100％的范圍內(nèi)；

所述第二半導(dǎo)體材料層中的x₃在85％至99％的范圍內(nèi)；

所述第二半導(dǎo)體材料層中的y在1％至10％的范圍內(nèi)；以及

所述第三半導(dǎo)體材料層中的z在1％至30％的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層中的x₁以遞變的方式從所述第一半導(dǎo)體材料層的底部至頂部從10％變化至15％。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第二半導(dǎo)體材料層中的x₂以遞變的方式從所述第二半導(dǎo)體材料層的底部至頂部從35％變化至70％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述襯底包括硅。