[發明專利]發光裝置在審
| 申請號： | 201410768230.2 | 申請日： | 2014-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN105742523A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發明（設計）人： | 邱創弘;簡昭珩;李仁繼 | 申請（專利權）人： | 中華映管股份有限公司;大同大學 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;叢芳 |
| 地址： | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 裝置 | ||
1.一種發光裝置，其特征在于，所述發光裝置包含：
發光本體，其具有出光面；以及
增亮膜，其位于所述發光本體的所述出光面上，所述增亮膜包含：
基材，其具有粗糙面，且所述粗糙面背對于所述發光本體；
多個第一光學微顆粒，其均勻散布于所述基材中，且所述多個第一光學微顆粒的折射率介于2.1至2.4；以及
多個第二光學微顆粒，其均勻散布于所述基材中，且所述多個第二光學微顆粒的折射率介于1.7至1.9。
2.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個第一光學微顆粒的材質包含鑭系氧化物。
3.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個第一光學微顆粒的材質包含2B族金屬的硫化物。
4.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個第二光學微顆粒的材質包含鑭系氧化物。
5.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個第二光學微顆粒的材質包含2A族金屬的氧化物。
6.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述基材的所述粗糙面具有至少一個凸部與至少一個凹部，且所述凸部與所述凹部之間的垂直距離介于5微米至10微米。
7.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述基材的厚度介于150微米至250微米或介于350微米至450微米。
8.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一光學微顆粒與所述多個第二光學微顆粒占所述增亮膜的重量百分比1％至3％。
9.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光裝置還包含：
光學膠，其位于所述增亮膜與所述發光本體的所述出光面之間，其中所述光學膠的折射率、所述發光本體的折射率與所述基材的折射率介于1.2至1.8。
10.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述基材的材質包含聚二甲基硅氧烷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
