[發(fā)明專(zhuān)利]MEMS麥克風(fēng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410767623.1
• 申請(qǐng)日: 2014-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105744452B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓冬;蔡?hào)|記;戴有祥;陳曉翔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H04R19/04
• 分類(lèi)號(hào): H04R19/04;H04R3/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種MEMS麥克風(fēng)電路，包括電荷泵、傳感器、第一放大器、第二放大器、反饋電路以及用于結(jié)合所述電荷泵為所述傳感器提供工作電壓的第一偏置電路，所述傳感器的輸入端連接到所述電荷泵，所述傳感器的輸出端連接至所述第一放大器的輸入端；所述第一放大器的輸出端連接至所述第二放大器的輸入端；所述反饋電路連接在所述第一放大器的輸出端與所述傳感器的輸入端之間；其特征在于，所述MEMS麥克風(fēng)電路還包括連接在所述傳感器的輸出端與所述第一放大器的輸入端之間的隔離器以及用于為所述第一放大器提供偏置電壓的第二偏置電路，所述隔離器用于隔離所述傳感器輸出的第一電信號(hào)的直流分量從而避免所述第一電信號(hào)的直流分量的變化對(duì)所述第一放大器的性能產(chǎn)生影響，所述傳感器的輸入端與所述電荷泵之間連接有第一電阻，所述反饋電路的一端連接在所述第一電阻與所述傳感器的輸入端之間，所述反饋電路的另一端連接在所述第一放大器的輸出端上，所述反饋電路包括串聯(lián)連接的可調(diào)電容和第一電容，所述可調(diào)電容的一端與所述第一放大器的輸出端連接，所述可調(diào)電容的另一端連接至所述第一電阻與所述傳感器的輸入端之間；所述第一電容的一端連接至所述可調(diào)電容，所述第一電容的另一端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)電路，其特征在于，所述隔離器為交流耦合電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)電路，其特征在于，所述第一放大器包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第二低通濾波器、用于提供基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流源和用于提供所述基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流源，

所述第一晶體管的柵極作為所述第一放大器的輸入端，所述第一晶體管的源極作為所述第一放大器的輸出端，用于與所述第二放大器的輸入端連接，所述第一晶體管的漏極接地；

所述第二晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第二晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極連接；所述第二晶體管的柵極連接至所述第四晶體管的漏極；

所述第三晶體管的源極連接至電源電壓；

所述第三晶體管與所述第五晶體管形成了第一共柵電流鏡；

所述第五晶體管的源極連接至所述電源電壓，所述第五晶體管的漏極經(jīng)所述第一基準(zhǔn)電流源接地；

所述第二低通濾波器連接在所述第五晶體管的漏極與柵極之間用于過(guò)濾所述第一基準(zhǔn)電流源與第五晶體管的噪聲；

所述第四晶體管的源極連接至所述電源電壓，所述第四晶體管的漏極經(jīng)所述第二基準(zhǔn)電流源接地，所述第四晶體管的柵極連接至所述第三晶體管的漏極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)電路，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管和第五晶體管均PMOS管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS麥克風(fēng)電路，其特征在于，所述第二低通濾波器包括連接在所述第五晶體管的源極與柵極之間的第二電容和連接在所述第五晶體管的柵極與漏極之間的第二電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)電路，其特征在于，所述第二放大器包括第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、第一電流源和第二電流源，

所述第六晶體管的柵極作為所述第二放大器的輸入端，所述第六晶體管的源極作為所述第二放大器的輸出端，所述第六晶體管的漏極經(jīng)所述第二電流源接地；

所述第七晶體管的源極連接至所述第六晶體管的源極，所述第七晶體管的漏極連接至所述電源電壓，所述第七晶體管的柵極連接至所述第八晶體管的漏極；

所述第八晶體管的漏極進(jìn)一步通過(guò)所述第一電流源連接至所述電源電壓，所述第八晶體管的柵極連接至第六晶體管的漏極；所述第八晶體管的源極接地。