[發(fā)明專利]一種制備石墨烯的夾具以及制備石墨烯的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410767070.X | 申請(qǐng)日: | 2014-12-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104477899A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李占成;張永娜;高翾;姜浩;黃德萍;朱鵬;邵麗;史浩飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶墨希科技有限公司;中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | C01B31/04 | 分類號(hào): | C01B31/04 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立 |
| 地址: | 401329 重*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 石墨 夾具 以及 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及石墨烯制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種制備石墨烯的夾具以及制備石墨烯的方法。
背景技術(shù)
石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格結(jié)構(gòu)的單原子層二維平面薄膜。2004年,才由英國(guó)曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈·海姆(Andre?Geim)和康斯坦丁·諾沃肖洛夫(Konstantin?Novoselov),成功地在實(shí)驗(yàn)中從石墨中分離出石墨烯,首次證明單原子層二維材料可以獨(dú)立存在。石墨烯具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì),在石墨烯被發(fā)現(xiàn)短短幾年內(nèi)便得到廣泛的研究。發(fā)現(xiàn)石墨烯的科學(xué)家Andre?Geim和Konstantin?Novoselov也由于他們?cè)谑┥系拈_創(chuàng)性工作而獲得2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。石墨烯在新能源、新材料、電子器件等諸多方面具有廣泛的應(yīng)用前景。
經(jīng)過近幾年的發(fā)展,可以通過多種方法獲得石墨烯,主要有:(1)機(jī)械剝離法。這種方法獲得石墨烯面積小且不可重復(fù),僅適合實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)研究使用。(2)SiC高溫外延生長(zhǎng)石墨烯。這種方法主要是通過高溫條件(大于1200度)將SiC表面的Si原子蒸發(fā)掉,剩余的C原子在表面重新組合形成石墨烯,這種方法制備石墨烯成本高,且轉(zhuǎn)移困難。(3)還原氧化石墨烯法。這種方法主要制備石墨烯粉末,做成的石墨烯薄膜缺陷高,導(dǎo)電性差。(4)化學(xué)氣相沉積法(CVD)。該方法制備石墨烯薄膜面積大,成本低,質(zhì)量高,具極大的應(yīng)用前景。CVD已經(jīng)發(fā)展成制備石墨烯薄膜最有前景的方法之一。CVD法是在真空容器中將甲烷等碳源加熱至特定溫度下使其分解,然后在Ni、Cu等過渡金屬箔上形成石墨烯膜的技術(shù)。CVD制備高質(zhì)量的石墨烯通常需要在石墨烯生長(zhǎng)襯底熔點(diǎn)(1000度左右)進(jìn)行,且使用厚度小于100微米的過渡金屬作為石墨烯生長(zhǎng)襯。確保生長(zhǎng)襯底表面的平整性的同時(shí),在制備石墨烯薄膜時(shí)還要避免金屬襯底之間因相互接觸、粘合而變形,所以限制了單次制備石墨烯的量。雖然韓國(guó)成均館大學(xué)可以一次制備對(duì)角線達(dá)15英寸的石墨烯薄膜,但其采用直徑為8英寸的管式爐,并將石墨烯生長(zhǎng)襯底鋪滿整體爐管內(nèi)壁獲得,其余生長(zhǎng)空間并沒有被合理利用,不僅單生長(zhǎng)批次制備的數(shù)量少,而且還造成資源浪費(fèi)。近期,日本索尼采用電極加熱生長(zhǎng)襯底的辦法實(shí)現(xiàn)了卷對(duì)卷生長(zhǎng)石墨烯,但由于是局部加熱且溫度較低,制備出的石墨烯質(zhì)量差,不能滿足應(yīng)用需求。如何快速、規(guī)模化制備大面積、高質(zhì)量石墨烯的方法一直沒有取得突破,極大的限制了石墨烯制備的效率和產(chǎn)量,阻礙了其進(jìn)一步的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
在工業(yè)化制備石墨烯的進(jìn)程中,石墨烯的生長(zhǎng)方式和夾具設(shè)計(jì)更是沒有很好發(fā)展,石墨烯產(chǎn)量低,造成資源的極大浪費(fèi)。近期,雖然有些專利發(fā)明就合理利用石墨烯有限的生長(zhǎng)空間提出了解決方案并給出相關(guān)夾具(如:CN203451615U),但夾具結(jié)構(gòu)團(tuán)笨重,樣品尺寸不統(tǒng)一,自動(dòng)化操作流程難以實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能合理利用工藝腔內(nèi)有限的生長(zhǎng)空間,在保證制備石墨烯薄膜品質(zhì)的同時(shí),盡可能最大程度的增加單批次制備石墨烯薄膜的數(shù)量實(shí)現(xiàn)資源浪費(fèi)最小化,成本最低化,且可應(yīng)用于自動(dòng)化工藝流程中的制備石墨烯的夾具以及制備石墨烯的方法。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種制備石墨烯的夾具,包括水平設(shè)置的頂框、底框和裝載托盤,所述頂框和所述底框通過豎直設(shè)置的第一側(cè)板、第二側(cè)板和擋板固定連接,所述擋板與所述第一側(cè)板、第二側(cè)板豎直設(shè)置,所述頂框、所述底框均屬于中間開孔的平面結(jié)構(gòu),所述頂框、所述底框、所述第一側(cè)板、所述第二側(cè)板和所述擋板組成一側(cè)面設(shè)有開口的四方體結(jié)構(gòu),所述第一側(cè)板、所述第二側(cè)板和所述擋板分別位于所述四方體結(jié)構(gòu)的另外三個(gè)側(cè)面上,所述第一側(cè)板和所述第二側(cè)板相對(duì)平行設(shè)置,所述第一側(cè)板朝向所述第二側(cè)板的一面上和所述第二側(cè)板朝向所述第一側(cè)板一面上均均勻設(shè)有多個(gè)上下均勻分布且對(duì)應(yīng)等高的托盤槽,所述裝載托盤兩相對(duì)的側(cè)邊分別插在所述第一側(cè)板上的所述托盤槽內(nèi)和所述第二側(cè)板上的所述托盤槽內(nèi)。
本發(fā)明的有益效果是:本夾具合理利用工藝腔內(nèi)有限的生長(zhǎng)空間,在保證制備石墨烯薄膜品質(zhì)的同時(shí),盡可能最大程度的增加單批次制備石墨烯薄膜的數(shù)量實(shí)現(xiàn)資源浪費(fèi)最小化,成本最低化。此外,本夾具可應(yīng)用于石墨烯自動(dòng)化工藝流程中,實(shí)現(xiàn)石墨烯生長(zhǎng)基底切片、裝樣、插片、生長(zhǎng)、取樣、取片等環(huán)節(jié)的自動(dòng)化操作,保證各批次石墨烯樣片的均勻性和穩(wěn)定性,提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和良率。側(cè)板的托盤槽用于固定裝載托盤,裝載托盤用于裝載石墨烯生長(zhǎng)襯底,擋板用于定位裝載托盤插入的位置,同時(shí)對(duì)石墨烯生長(zhǎng)襯底被工藝氣體氣流吹走起雙重阻擋作用。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
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