[發(fā)明專利]發(fā)熱體、振動(dòng)器件、電子設(shè)備以及移動(dòng)體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410766674.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN104734635B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林謙司;福澤晃弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03B5/04
• 分類號(hào): H03B5/04;H03B5/32
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于英慧

發(fā)熱體、振動(dòng)器件、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。課題在于提供能夠使期望的區(qū)域高效地發(fā)熱的發(fā)熱體、能夠高效地加熱振動(dòng)片的振動(dòng)器件、以及使用了該發(fā)熱體或該振動(dòng)器件的電子設(shè)備和移動(dòng)體。作為解決手段，發(fā)熱用IC(20)包含：形成有擴(kuò)散層(22)的半導(dǎo)體基板(21)；用于向擴(kuò)散層(22)施加電源電壓的焊盤(26a)；以及用于向擴(kuò)散層(22)施加接地電壓的焊盤(26b)。半導(dǎo)體基板(21)以在俯視半導(dǎo)體基板(21)時(shí)，與分別連接焊盤(26a)和焊盤(26b)的假想直線相交的方式，具有狹縫(23a、23b)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)熱體、振動(dòng)器件、電子設(shè)備以及移動(dòng)體，例如涉及恒溫槽型石英振蕩器。

背景技術(shù)

對(duì)于在通信設(shè)備或測定器等的基準(zhǔn)頻率信號(hào)源中使用的石英振蕩器，要求相對(duì)于溫度變化為高精度且輸出頻率穩(wěn)定。通常，作為石英振蕩器中的能夠得到極高的頻率穩(wěn)定度的石英振蕩器，公知有恒溫槽型石英振蕩器(OCXO：Oven Controlled CrystalOscillator)。OCXO在被控制為恒定溫度的恒溫槽內(nèi)收納有石英振子，作為以往的OCXO，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了如下的石英振蕩器，該石英振蕩器配置被封入到了封裝的石英振子和發(fā)熱體，并具有在石英振子的周圍設(shè)置了熱傳導(dǎo)性高的部件的基板，以通過發(fā)熱體對(duì)石英振子整體進(jìn)行加熱。此外，在專利文獻(xiàn)2中公開了如下的OCXO：其在具有發(fā)熱體的集成電路上配置石英振動(dòng)元件，并將其與其它電路元件一起配置到封裝內(nèi)。

【專利文獻(xiàn)1】日本特開2008-60716號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】日本特開2010-213280號(hào)公報(bào)

但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的石英振蕩器中，為了使振蕩器的頻率穩(wěn)定，必須對(duì)被封入到了封裝的石英振子整體進(jìn)行加熱，通常必須增大由發(fā)熱體進(jìn)行加熱的區(qū)域，因此存在由發(fā)熱體消耗的電力增大的問題。此外，在專利文獻(xiàn)2所記載的OCXO中，記載了在具有發(fā)熱體的集成電路上配置石英振動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)，但根據(jù)發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)、或者發(fā)熱體與石英振動(dòng)元件之間的配置關(guān)系不同，存在可能無法有效地對(duì)石英振動(dòng)元件進(jìn)行加熱的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是鑒于以上問題點(diǎn)而完成的，根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)方式，能夠提供一種可使期望的區(qū)域高效地發(fā)熱的發(fā)熱體、可高效地加熱振動(dòng)片的振動(dòng)器件、以及使用了該發(fā)熱體或該振動(dòng)器件的電子設(shè)備和移動(dòng)體。

本發(fā)明正是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，可作為以下方式或應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。

[應(yīng)用例1]

本應(yīng)用例的發(fā)熱體包含：發(fā)熱單元，其形成于半導(dǎo)體基板，具有第1區(qū)域和第2區(qū)域；以及第3區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體基板的表面，所述發(fā)熱單元由于所述第1區(qū)域與所述第2區(qū)域之間被施加電位差而發(fā)熱，所述第3區(qū)域是如下的區(qū)域：被配置為在俯視所述半導(dǎo)體基板時(shí)與連接所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域的假想直線相交，并且發(fā)熱量比所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域小。

根據(jù)本應(yīng)用例的發(fā)熱體，在第1區(qū)域與第2區(qū)域之間流過的電流繞過第3區(qū)域流過從而不流向第3區(qū)域，或者相比在第1區(qū)域與第2區(qū)域之間流過的電流、減少在第3區(qū)域中流過的電流，由此第3區(qū)域的發(fā)熱量比第1區(qū)域和第2區(qū)域的發(fā)熱量少。即，不使第3區(qū)域發(fā)熱，或者即便使其發(fā)熱、發(fā)熱量也較少，因此在第1區(qū)域與第2區(qū)域之間流過的電流能夠使第1區(qū)域和第2區(qū)域高效地發(fā)熱。因此，在第1區(qū)域與第2區(qū)域之間流過的電流能夠使半導(dǎo)體基板的期望區(qū)域高效地發(fā)熱，并且不需要發(fā)熱的區(qū)域中的發(fā)熱量較少。其結(jié)果，能夠減少在發(fā)熱體中流過的電流。

[應(yīng)用例2]

在上述應(yīng)用例的發(fā)熱體中，所述第3區(qū)域可以是電阻率比所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域高的區(qū)域。

根據(jù)本應(yīng)用例的發(fā)熱體，電流能夠以繞過電阻率比第1區(qū)域和第2區(qū)域高的第3區(qū)域的方式，流過第1區(qū)域與第2區(qū)域之間。

[應(yīng)用例3]