[發明專利]摻雜CBP的紅色有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201410766545.3 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN105762296A | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 張志勇;趙青山;劉星;趙煒 | 申請(專利權)人: | 西安寶萊特光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人: | 李罡 |
| 地址: | 710075 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜 cbp 紅色 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光器件技術領域,具體涉及一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(organiclightemittingdiode,OLED)是一種利用載流子在電場作用下由正負電極進入有機固體層復合而發光的現象制成的器件。
與LCD相比,OLED具有全固態、自發光、寬視角、高清晰、高亮度、高對比度、高響應速度、超薄、低功耗、耐低溫、抗震、可實現柔性顯示和雙面顯示等特點。鑒于此優點,OLED具有廣闊的應用前景。
有機電致發光器件結構包括:陰極、陽極、空穴注入層、發光層、電子傳輸層。
紅色有機發光器件基本以銥的配合物作為發光材料。常見的紅光發光材料有(btp)2Ir(acac)、(fbi)2Ir(acac)、(DMQ)2Ir(acac),通常將其與熒光主體用雙源共蒸的方法制備有機電致發光器件,器件結構一般為雙層、多層,制備工藝復雜,增加了器件的工藝成本,不利于產業化生產。
發明內容
為解決現有存在的技術問題,本發明實施例提供一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件及其制備方法。
為達到上述目的,本發明實施例的技術方案是這樣實現的:
本發明實施例提供一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件,該紅色有機電致發光器件包括:從下到上依次設置的襯底、陽極、空穴注入層、發光層、電子傳輸層、緩沖層、陰極;所述發光層為銥配合物和有機混合主體材料混合而成,其質量比為(8~16):100;所述銥配合物分子式為;所述有機混合主體材料為聚(9-乙烯基咔唑)(PVK),4,4'-二(9-咔唑)聯苯(CBP)。
上述方案中,所述空穴注入層為PEDOT:PSS。
上述方案中,所述電子傳輸層為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
上述方案中,所述發光層的厚度為30~50nm。
本發明實施例提供一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件的制備方法,該制備方法通過以下步驟實現:
步驟101:對表面覆蓋有陽極材料的襯底進行等離子處理;
步驟102:在所述陽極表面依次旋涂空穴注入層、發光層;
步驟103:在所述發光層表面依次蒸鍍電子注入層、緩沖層和陰極,制得紅色有機電致發光器件。
上述方案中,所述步驟101中等離子處理的真空度為15~45Pa,功率為150~350w。
上述方案中,所述步驟102具體為:在潔凈空氣環境下,在所述的透明陽極表面旋涂空穴注入層;在高純氮氣環境下,在所述的空穴注入層表面旋涂發光層。
上述方案中,所述步驟103具體為:在(1~8)x10-7Torr的條件下,在所述的發光層的表面進行蒸鍍電子注入層;在(1~5)x10-6Torr的條件下,在所述的電子注入層表面進行蒸鍍緩沖層和陰極。
與現有技術相比,本發明的有益效果:
本發明實施例提供一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件,包括從下到上依次設置的襯底、陽極、空穴注入層、發光層、電子傳輸層、緩沖層和陰極;通過本發明采用銥配合物作為發光材料,具有良好溶解性,能在主體材料中呈現高分散性,減少了由于高濃度摻雜引起的濃度淬滅效應和分散不均現象,以及高量子效率;同時本發明實施例還提供一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件的制備方法,方法簡單,避免了復雜的蒸鍍工藝及其昂貴的設備成本,以空穴型材料PVK作為骨架,摻雜CBP形成復合型主體,,有效的調節了電子和空穴平衡,從而有利于空穴和電子在發光層復合,大大提高了器件效率。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種摻雜CBP的紅色有機電致發光器件的結構示意圖;
圖2為本發明實施例制備的紅色有機電致發光器件的電壓-電流密度-亮度特性曲線;
圖3實施例制備的紅色有機電致發光器件在亮度為1000cd/m2時的光譜圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本發明進行詳細說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





