[發明專利]面發光激光器以及原子振蕩器有效
| 申請號: | 201410766452.0 | 申請日: | 2014-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN104734008B | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 西田哲朗 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/183 | 分類號: | H01S5/183;H01S5/125;H01S5/187 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 激光器 以及 原子 振蕩器 | ||
本發明涉及面發光激光器以及原子振蕩器。面發光激光器包括基板;第1反射鏡層;活性層;第2反射鏡層;第1電極,其與上述第1反射鏡層電連接;第2電極,其與上述第2反射鏡層電連接;以及焊盤,其與上述第2電極電連接,上述第1反射鏡層、上述活性層、以及上述第2反射鏡層構成層疊體,上述層疊體具有共振部,在上述層疊體的側面設置絕緣層,俯視時,上述絕緣層相對于通過上述共振部的中心的虛擬直線,是線對稱的形狀,上述焊盤設置在上述絕緣層的上方,在上述俯視時,從上述虛擬直線觀察,上述焊盤僅設置在一側。
技術領域
本發明涉及面發光激光器以及原子振蕩器。
背景技術
面發光激光器(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)例如作為利用了量子干擾效應的之一的CPT(Coherent Population Trapping:相干布居數囚禁)的原子振蕩器的電源被使用。
在面發光激光器中,一般共振器具有各向同性的構造,所以難以控制從共振器射出的激光的偏振光方向。例如專利文獻1中記載了一種通過與包括共振器的一部分的柱狀的半導體堆積體的外側面接觸而形成的絕緣層,對共振器(活性層)施加各向異性的應力,將激光的偏振光方向控制為特定方向的面發光激光器。
在專利文獻1的面發光激光器中,上部電極以覆蓋絕緣層的上表面的大部分的方式形成。
專利文獻1:日本特開2001-189525號公報
此處,在面發光激光器中,為了使高頻特性提高,減少寄生電容是重要的。
然而,在專利文獻1記載的面發光激光器中,由于上部電極以覆蓋絕緣層的上表面的大部分的方式形成,所以存在不能充分減少寄生電容這種問題。
發明內容
本發明的幾個方式的目的之一在于提供一種能夠減少寄生電容的面發光激光器。另外,本發明的幾個方式的目的之一在于提供一種包括上述面發光激光器的原子振蕩器。
本發明所涉及的面發光激光器包括:基板;第1反射鏡層,其設置在上述基板的上方;活性層,其設置在上述第1反射鏡層的上方;第2反射鏡層,其設置在上述活性層的上方;第1電極,其與上述第1反射鏡層電連接;第2電極,其與上述第2反射鏡層電連接;以及焊盤,其與上述第2電極電連接,上述第1反射鏡層、上述活性層、以及上述第2反射鏡層構成層疊體,上述層疊體具有使由上述活性層產生的光共振的共振部,在上述層疊體的側面設置絕緣層,俯視時,上述絕緣層相對于通過上述共振部的中心的虛擬直線,是線對稱的形狀,上述焊盤設置在上述絕緣層的上方,在上述俯視時,從上述虛擬直線觀察,上述焊盤僅設置在一側。
在這種面發光激光器中,例如與從虛擬直線觀察,焊盤設置在兩側的情況相比,能夠減少寄生電容。因此,在這種面發光激光器中,例如能夠使高頻特性提高。
此外,在本發明所涉及的記載中,例如“特定物(以下,稱為“A”)的“上方”形成其它特定物(以下,稱為“B”)”等使用“上方”這個用語的情況下,作為包括在A上直接形成B的情況、和在A上隔著其它物形成B的情況,使用“上方”這個用語。
另外,在本發明所涉及的記載中,,例如與“特定部件(以下稱為“A部件”)“電連接”的其它特定部件(以下稱為“B部件”)等”使用“電連接”這個用語。在本發明所涉及的記載中,如該例這樣的情況下,作為包括B部件直接接觸電連接的情況、以及A部件和B部件經由其它部件電連接的情況,使用“電連接”這個用語。
在本發明所涉及的面發光激光器中,可以包括使上述第2電極與上述焊盤電連接的引出布線。
在這種面發光激光器中,能夠減少寄生電容。
在本發明所涉及的面發光激光器中,在上述俯視時,從上述虛擬直線觀察,上述引出布線可以僅設置在上述一側。
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